4H-SiC BJT功率器件新结构与特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·SiC 材料物理特性 | 第14-17页 |
| ·4H-SiC 功率半导体器件发展现状 | 第17-23页 |
| ·4H-SiC 功率整流器 | 第19-21页 |
| ·4H-SiC 功率开关器件 | 第21-23页 |
| ·4H-SiC BJT 的研究现状和存在的问题 | 第23-28页 |
| ·研究现状 | 第23-25页 |
| ·存在的问题 | 第25-28页 |
| ·提高SiC BJT 的器件性能 | 第25-26页 |
| ·SiC BJT 性能退化效应 | 第26-28页 |
| ·本文的主要工作 | 第28-31页 |
| 第二章 4H-SiC BJT 器件新结构 | 第31-67页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·BJT 的基本电学特性 | 第31-36页 |
| ·电流增益 | 第32-33页 |
| ·击穿电压 | 第33-34页 |
| ·电导调制效应 | 第34-35页 |
| ·比导通电阻 | 第35-36页 |
| ·4H-SiC 数值分析的物理模型及参数 | 第36-41页 |
| ·迁移率模型 | 第36-37页 |
| ·禁带宽度模型 | 第37-38页 |
| ·杂质不完全离化模型 | 第38-39页 |
| ·碰撞电离模型 | 第39-40页 |
| ·Shockley-Read-Hall 模型 | 第40-41页 |
| ·4H-SiC BJT 基区埋层结构特性分析 | 第41-48页 |
| ·4H-SiC BJT 器件新结构简介 | 第41-42页 |
| ·场增强型基区埋层器件结构与工作原理 | 第42-43页 |
| ·性能分析与讨论 | 第43-47页 |
| ·工艺流程 | 第47-48页 |
| ·4H-SiC BJT 外延型结终端结构特性分析 | 第48-53页 |
| ·4H-SiC BJT 结终端技术简介 | 第48-49页 |
| ·新型外延型终端器件结构与关键工艺流程 | 第49-50页 |
| ·器件工作原理 | 第50-51页 |
| ·器件性能分析与讨论 | 第51-53页 |
| ·4H-SiC SBD 场板结构实验研究 | 第53-65页 |
| ·SiC SBD 终端技术简介 | 第54-55页 |
| ·SiC SBD 器件工艺流程 | 第55-58页 |
| ·基本工艺流程 | 第55页 |
| ·欧姆接触工艺 | 第55-57页 |
| ·ICP 刻蚀工艺 | 第57-58页 |
| ·SiC SBD 金属场板实验研究 | 第58-61页 |
| ·SiC SBD 新型场板结构 | 第61-64页 |
| ·SiC SBD 新型场板结构实验方案 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第三章 4H-SiC BJT 器件表面陷阱效应 | 第67-81页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·SiC BJT 器件性能退化效应 | 第67-70页 |
| ·界面态分布模型 | 第70-73页 |
| ·表面陷阱对SiC BJT 器件性能的影响 | 第73-80页 |
| ·电流增益 | 第73-77页 |
| ·比导通电阻和击穿电压 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第四章 4H-SiC BJT 电热特性研究 | 第81-106页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·4H-SiC BJT 器件电热特性研究 | 第82-92页 |
| ·SiC BJT 静态工作下的电热特性 | 第82-87页 |
| ·电流增益 | 第82-84页 |
| ·比导通电阻和击穿电压 | 第84-87页 |
| ·SiC BJT 动态工作下的电热特性 | 第87-92页 |
| ·开态时间及开态损耗 | 第89-92页 |
| ·关态时间及关态损耗 | 第92页 |
| ·Si 基BJT-BSIT 电热特性研究 | 第92-105页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第93-95页 |
| ·器件结构 | 第93-94页 |
| ·工作原理 | 第94-95页 |
| ·BJT-BSIT 组合器件电流增益热模型 | 第95-98页 |
| ·组合器件电流增益热模型数值分析 | 第98-100页 |
| ·BJT-BSIT 组合器件实验与分析 | 第100-105页 |
| ·版图设计 | 第100-102页 |
| ·工艺实现 | 第102-103页 |
| ·实验结果分析 | 第103-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第五章 结论和展望 | 第106-109页 |
| ·结论 | 第106-108页 |
| ·下一步工作 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-121页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第121-123页 |
