钝化层对功率器件芯片电参数影响的仿真分析及工艺优化

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
第一章 绪论	第9-14页
·几种主要的钝化工艺进展	第9-12页
·热生长二氧化硅	第9-10页
·LPCVD 法淀积多晶硅	第10页
·磷硅玻璃（PSG）钝化	第10-12页
·氮化硅（Si_3N_4）钝化	第12页
·SIPOS 钝化	第12页
·本论文的选题和研究内容	第12-14页
第二章 钝化机理及其对器件参数的影响	第14-25页
·半绝缘多晶硅钝化机理及工艺	第14-17页
·钝化工艺对器件参数的影响	第17-25页
·SIPOS+TEOS 钝化工艺	第17-19页
·SiO_xN_y 钝化工艺	第19-25页
第三章 利用MEDICI 软件仿真	第25-34页
·MEDICI 的功能简介	第25页
·MEDICI 的一些特性	第25-26页
·MEDICI 仿真程序	第26-32页
·仿真结果	第32-34页
第四章 钝化工艺优化	第34-61页
·工艺流程介绍	第34-40页
·钝化层生长系统	第34-36页
·光刻	第36-37页
·刻蚀和去胶	第37-40页
·改变钝化层结构试验	第40-48页
·试验方案的设计和实施	第40-45页
·试验数据分析	第45-48页
·改变钝化层纵向组合试验	第48-56页
·试验方案的设计和实施	第48-50页
·试验数据分析	第50-56页
·试验情况总结	第56-61页
第五章 结论和展望	第61-63页
·本论文研究总结	第61-62页
·下一步工作展望	第62-63页
致谢	第63-64页
参考文献	第64-66页