A1GaN/GaN HEMT热特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-13页 |
| ·研究目的及意义 | 第10页 |
| ·氮化镓高电子迁移率晶体管的研究现状 | 第10-12页 |
| ·本论文的内容和安排 | 第12-13页 |
| 第2章 氮化镓基高电子迁移率晶体管的基本原理 | 第13-28页 |
| ·氮化镓材料 | 第13-18页 |
| ·晶格结构 | 第15页 |
| ·极化效应 | 第15-18页 |
| ·氮化镓基器件 | 第18-26页 |
| ·二维电子气 | 第18-22页 |
| ·氮化镓基器件的工作原理 | 第22-26页 |
| ·氮化镓基器件的自加热效应与热管理 | 第26-27页 |
| ·自加热效应与热管理 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第3章 氮化镓基器件的物理模型 | 第28-40页 |
| ·基本物理模型 | 第28-33页 |
| ·泊松方程 | 第29页 |
| ·连续性方程 | 第29页 |
| ·输运方程 | 第29-32页 |
| ·晶格热方程 | 第32-33页 |
| ·辅助电学物理模型 | 第33-36页 |
| ·极化效应模型 | 第33-34页 |
| ·迁移率模型 | 第34-35页 |
| ·载流子复合模型 | 第35-36页 |
| ·辅助热学物理模型 | 第36-39页 |
| ·热导率模型 | 第36-37页 |
| ·热阻抗模型 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 氮化镓基器件的数值仿真 | 第40-61页 |
| ·商用数值分析软件 | 第40-41页 |
| ·交直流仿真理论 | 第41-43页 |
| ·单指氮化镓器件仿真 | 第43-55页 |
| ·仿真器件结构 | 第43-44页 |
| ·仿真器件参数 | 第44-45页 |
| ·热学参数仿真结果 | 第45-48页 |
| ·电学参数仿真结果 | 第48-55页 |
| ·双指氮化镓器件仿真 | 第55-61页 |
| ·仿真器件结构 | 第55-57页 |
| ·电学参数仿真结果 | 第57-59页 |
| ·热学参数仿真结果 | 第59-61页 |
| 第5章 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·总结 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录 | 第68页 |
