| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| ·功率电子技术简介 | 第8-9页 |
| ·功率集成电路简介 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 SPIC工艺的发展及与CMOS兼容的工艺的探索 | 第11-27页 |
| ·BCD工艺发展及其相关功率器件集成技术 | 第11-16页 |
| ·第一代BCD工艺（BCD-I） | 第12-13页 |
| ·第二代BCD工艺（BCD-II） | 第13页 |
| ·BCD OFF-LINE | 第13-14页 |
| ·BCD工艺所集成的DMOS | 第14-16页 |
| ·与CMOS兼容613 工艺简介 | 第16-19页 |
| ·613 工艺流程简述 | 第16-17页 |
| ·613 工艺中LDMOS的集成方式 | 第17-19页 |
| ·具有更小比导通电阻的SPIC的新工艺探索 | 第19-26页 |
| ·异位补偿 | 第19页 |
| ·基于N衬底的新工艺探索 | 第19-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于浮空区技术的开关电源芯片中的低压电源及其分析 | 第27-48页 |
| ·低压电源的基本背景 | 第27-28页 |
| ·传统的离线式开关电源拓扑及高压电流源的实现方式 | 第28-33页 |
| ·以电阻作为芯片启动充电路径的开关电源 | 第28-29页 |
| ·以增强型MOSFET作为芯片启动充电路径的开关电源 | 第29-30页 |
| ·以JFET作为芯片启动充电路径的开关电源 | 第30-31页 |
| ·将用于启动充电路径的JFET器件和开关管制作在一起的开关电源 | 第31-32页 |
| ·一个开关芯片实例 | 第32-33页 |
| ·基于浮空环技术的高压电流源 | 第33-47页 |
| ·浮空场限环 | 第33页 |
| ·基于浮空场限环的低压电源 | 第33-37页 |
| ·一种基于浮空P区的低压电源 | 第37-44页 |
| ·基于浮空栅极结构的无控制的低压电源 | 第44-47页 |
| ·本章小节 | 第47-48页 |
| 第四章 一种基于自偏置分裂栅的高速槽栅MOSFET | 第48-63页 |
| ·功率 MOSFET的发展 | 第48-52页 |
| ·传统的Trench MOSFET | 第48-49页 |
| ·深槽 Trench MOSFET | 第49页 |
| ·槽栅底部具有厚氧的Trench MOSFET | 第49-50页 |
| ·W型槽栅结构 | 第50-51页 |
| ·具有纵向RESURF结构的Trench MOSFET | 第51页 |
| ·具有分裂栅及纵向RESURF结构的Trench MOSFET | 第51-52页 |
| ·本文提出的基于自偏置分裂栅的深槽MOSFET | 第52-62页 |
| ·基本结构 | 第52-53页 |
| ·比导通电阻 | 第53-54页 |
| ·击穿电压 | 第54-55页 |
| ·栅电荷 | 第55-59页 |
| ·器件总体特性 | 第59-62页 |
| ·本章小节 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
