| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·研究背景与研究意义 | 第12-13页 |
| ·材料特性及其器件发展动态 | 第13-19页 |
| ·SiC 材料及其器件 | 第13-15页 |
| ·GaN 材料及其器件 | 第15-16页 |
| ·Graphene 材料及其器件 | 第16-19页 |
| ·器件特性及其建模技术发展概述 | 第19-22页 |
| ·本文研究的主要内容及文章结构 | 第22-24页 |
| 第二章 高频半导体场效应器件基本理论 | 第24-44页 |
| ·SIC MESFET 工作原理 | 第24-28页 |
| ·GAN HEMT 噪声建模基础 | 第28-36页 |
| ·GaN HEMT 工作机理 | 第28-34页 |
| ·HEMT 噪声系数 | 第34-36页 |
| ·GRAPHENE RCT 工作原理 | 第36-41页 |
| ·机械谐振理论 | 第36-39页 |
| ·Graphene RCT 场效应原理 | 第39-41页 |
| ·支持向量机简介 | 第41-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第三章 SiC MESFET 大信号非线性建模研究 | 第44-73页 |
| ·小信号等效电路建模 | 第44-50页 |
| ·小信号模型拓扑 | 第44-46页 |
| ·模型参数提取 | 第46-47页 |
| ·模型验证 | 第47-50页 |
| ·大信号非线性等效电路模型 | 第50-65页 |
| ·直流I-V 特性经验模型 | 第51-55页 |
| ·非线性电容模型 | 第55-57页 |
| ·栅源电流Igs 和栅漏电流Igd 模型 | 第57页 |
| ·色散模型 | 第57-58页 |
| ·温度相关特性模型 | 第58-60页 |
| ·大信号模型验证 | 第60-65页 |
| ·基于支持向量机的场效应晶体管建模技术研究 | 第65-72页 |
| ·基于SVR 的S 参数测量 | 第65-67页 |
| ·非线性SVR 模型 | 第67-69页 |
| ·非线性SVR 模型的验证 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 GaN HEMT 高频噪声特性与建模研究 | 第73-95页 |
| ·基于支持向量机的噪声参量建模技术 | 第74-77页 |
| ·源极阻抗模型及其对噪声特性的影响 | 第77-84页 |
| ·源极阻抗模型 | 第78-80页 |
| ·模型验证和讨论 | 第80-84页 |
| ·AL 组分对ALXGA1-XN/GAN HEMT 高频噪声的影响 | 第84-87页 |
| ·器件结构和模型 | 第84-85页 |
| ·结果和讨论 | 第85-87页 |
| ·双异质结GAN HEMT 高频噪声特性研究 | 第87-94页 |
| ·AlGaN/GaN 单异质结HEMT 数值物理模型 | 第88-91页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结HEMT 微波噪声特性 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第五章 Graphene RCT 特性研究 | 第95-116页 |
| ·全背栅GRAPHENE RCT | 第95-103页 |
| ·混频器原理 | 第96-97页 |
| ·器件制备 | 第97-100页 |
| ·器件测试与结果分析 | 第100-103页 |
| ·本地背栅GRAPHENE RCT | 第103-115页 |
| ·放大器原理 | 第104-105页 |
| ·器件制备 | 第105-110页 |
| ·刻蚀法 | 第106-108页 |
| ·机械剥离法 | 第108-110页 |
| ·器件测试与结果分析 | 第110-115页 |
| ·刻蚀法制备器件特性 | 第110-112页 |
| ·机械剥离法制备器件特性 | 第112-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 第六章 结论 | 第116-119页 |
| 参考文献 | 第119-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 攻博期间取得的成果 | 第131-134页 |
