| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 符号说明 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·半导体纳米材料 | 第12-13页 |
| ·半导体纳米线及其应用 | 第13-16页 |
| ·论文的结构安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 纳米线的制备与表征方法 | 第22-39页 |
| ·纳米线制备方法 | 第22-26页 |
| ·溶液法 | 第22-23页 |
| ·气相法 | 第23-25页 |
| ·氧化物辅助生长法 | 第25-26页 |
| ·金属有机化学气相沉积外延技术 | 第26-28页 |
| ·外延材料的表征方法与测试技术 | 第28-34页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第29-31页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第31-33页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第三章 GaAs纳米线P型掺杂理论与实验研究 | 第39-66页 |
| ·GaAs纳米线P型掺杂的理论研究 | 第40-49页 |
| ·替位式杂质间隙式杂质 | 第40页 |
| ·施主杂质、施主能级、n型掺杂 | 第40-42页 |
| ·受主杂质、受主能级、p型掺杂 | 第42-44页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物GaAs中的杂质能级 | 第44-45页 |
| ·国外GaAs纳米线P型掺杂方法和研究结果 | 第45-49页 |
| ·GaAs纳米线P型掺杂实验研究 | 第49-62页 |
| ·生长实验方案 | 第49-50页 |
| ·磁控溅射Au薄膜及反应室生长条件 | 第50-51页 |
| ·金薄膜退火,Au-Ga合金颗粒的形成 | 第51-52页 |
| ·不同流量的DEZn对P型GaAs纳米线形态的影响 | 第52-55页 |
| ·P-GaAs纳米线的等高生长分析 | 第55-56页 |
| ·P型GaAs纳米线的结构分析 | 第56-61页 |
| ·P-GaAs纳米线掺杂浓度分析 | 第61-62页 |
| ·高Ⅱ/Ⅲ族比下,P-GaAs纳米线弯曲原因分析 | 第62-64页 |
| ·团簇的基本知识 | 第62页 |
| ·P-GaAs纳米线弯曲原因分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第四章 n型GaAs纳米线电极理论与实验研究 | 第66-83页 |
| ·GaAs纳米线电极理论研究 | 第66-75页 |
| ·费米分布函数和费米能级 | 第66-68页 |
| ·金属半导体接触及其能级图 | 第68-70页 |
| ·欧姆接触 | 第70-73页 |
| ·国外n型GaAs纳米线的生长方法和研究成果 | 第73-75页 |
| ·n-GaAs纳米线制备 | 第75-77页 |
| ·生长实验方案 | 第75页 |
| ·生长实验结果 | 第75-77页 |
| ·n-GaAs纳米线电极制备 | 第77-79页 |
| ·实验方案设计 | 第77-78页 |
| ·实验结果分析 | 第78-79页 |
| ·纳米线I-V特性测量 | 第79-81页 |
| ·实验装置的连接 | 第79-80页 |
| ·I-V特性结果分析 | 第80-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 GaAs纳米线pn结理论研究 | 第83-93页 |
| ·pn结及空间电荷区 | 第83-85页 |
| ·pn结的基本概念 | 第83-84页 |
| ·空间电荷区 | 第84-85页 |
| ·国外GaAs纳米线pn结制备方法和研究结果 | 第85-91页 |
| ·GaAs核壳结构pn结 | 第85-89页 |
| ·GaAs轴向pn结 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 附录 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第97页 |