| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| ·课题研究的背景与意义 | 第11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 国内外发展动态 | 第11-16页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的发展 | 第11-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 模型的发展 | 第14-15页 |
| ·线性局限 | 第15-16页 |
| ·本论文的工作及内容安排 | 第16-17页 |
| 2 AlGaN/GaN HEMT 基本原理 | 第17-32页 |
| ·半导体材料概述 | 第17-19页 |
| ·GaN 晶格结构 | 第19-20页 |
| ·GaN HEMT 的基本原理和主要特性 | 第20-27页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 基本工作原理 | 第20页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 中的2-DEG 性质 | 第20-21页 |
| ·I-V 特性 | 第21-22页 |
| ·高频特性 | 第22-23页 |
| ·功率特性 | 第23-26页 |
| ·自热效应 | 第26-27页 |
| ·微电子器件模型概述 | 第27-31页 |
| ·建模的重要性 | 第27-28页 |
| ·高功率晶体管模型介绍 | 第28-29页 |
| ·等效电路模型建模方法 | 第29-30页 |
| ·建模的要求 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 3 新型GaN HEMT 器件的设计与仿真 | 第32-46页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN HEMT 器件简介 | 第32页 |
| ·新型器件结构设计与计算 | 第32-39页 |
| ·器件外延层结构 | 第32-33页 |
| ·外延结构计算过程 | 第33-36页 |
| ·计算结果分析 | 第36-39页 |
| ·TCAD 仿真I-V 特性 | 第39-43页 |
| ·Silvaco TCAD 软件的仿真方法及注意事项 | 第39-40页 |
| ·仿真结果分析 | 第40-42页 |
| ·I-V 特性仿真 | 第42-43页 |
| ·TCAD 仿真自热效应 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 4 直流和微波特性测量与分析 | 第46-60页 |
| ·在片测量简介 | 第46-48页 |
| ·直流和小信号特性 | 第48-58页 |
| ·测试方案 | 第48页 |
| ·直流特性 | 第48-54页 |
| ·小信号S 参数测量 | 第54-58页 |
| ·大信号特性 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 5 AlGaN/GaN HEMT 器件建模 | 第60-76页 |
| ·基于IC-CAP 的晶体管建模一般操作过程 | 第60-61页 |
| ·小信号等效电路拓扑结构和参数提取技术 | 第61-71页 |
| ·小信号等效电路模型参数 | 第61-63页 |
| ·去嵌结构及去嵌流程 | 第63-65页 |
| ·寄生参数提取 | 第65-69页 |
| ·本征部分等效电路参数提取 | 第69-71页 |
| ·EEHEMT1 模型的验证 | 第71-74页 |
| ·最终模型 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 6 总结 | 第76-78页 |
| ·总结 | 第76页 |
| ·展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 附录 | 第83-84页 |
| 详细摘要 | 第84-87页 |