| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪言 | 第10-21页 |
| ·高压功率器件与电路概述 | 第10-12页 |
| ·LDMOS的研究进展 | 第12-18页 |
| ·准确建模的必要性 | 第12-13页 |
| ·小尺寸效应 | 第13-14页 |
| ·SOI技术 | 第14-15页 |
| ·导通电阻和击穿电压 | 第15-16页 |
| ·温度特性 | 第16-17页 |
| ·对高阻漂移区的研究 | 第17-18页 |
| ·LDMOS在实际领域中的应用 | 第18-19页 |
| ·LDMOS在移动通信领域的应用 | 第18-19页 |
| ·LDMOS在其它领域的应用 | 第19页 |
| ·本文主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 线性变掺杂漂移区LDMOS工艺及电学特性分析 | 第21-41页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS的制备工艺 | 第21-25页 |
| ·线性变掺杂LDMOS的特点和优势 | 第21-22页 |
| ·线性变掺杂漂移区掺杂浓度的解析模型 | 第22-23页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS实现工艺 | 第23-25页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS伏安特性和击穿特性分析 | 第25-36页 |
| ·伏安特性的推导 | 第25-27页 |
| ·击穿电压的解析模型 | 第27-28页 |
| ·均匀掺杂漂移区LDMOS伏安特性和击穿特性分析 | 第28-32页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS伏安特性和击穿电压的分析 | 第32-36页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS的转移特性的分析 | 第36-41页 |
| ·LDMOS跨导的解析模型 | 第36-37页 |
| ·LDMOS阈值电压的解析模型 | 第37-38页 |
| ·均匀掺杂漂移区LDMOS转移特性的分析 | 第38-39页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS转移特性的分析 | 第39-41页 |
| 第三章 线性变掺杂漂移区LDMOS导通电阻的建模 | 第41-54页 |
| ·LDMOS导通电阻研究现状简介 | 第41-42页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS的导通电阻成分分析 | 第42-44页 |
| ·沟道区的线性电阻 | 第44-45页 |
| ·漂移区电阻的计算 | 第45-51页 |
| ·积累层电阻R_(ac) | 第45-47页 |
| ·扩展电阻R_(sp) | 第47-48页 |
| ·体电阻R_(sh) | 第48-49页 |
| ·具有电流集边效应的体电阻R_(cd) | 第49-51页 |
| ·软件仿真及分析 | 第51-54页 |
| 第四章 线性变掺杂漂移区LDMOS的温度特性 | 第54-69页 |
| ·导通电阻的温度特性 | 第54-59页 |
| ·影响导通电阻的因素的温度特性 | 第54-56页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS导通电阻的温度特性 | 第56-59页 |
| ·击穿电压的温度特性 | 第59-62页 |
| ·击穿电压与温度的解析关系 | 第59页 |
| ·均匀掺杂漂移区LDMOS击穿电压的温度特性 | 第59-61页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS击穿电压的温度特性 | 第61-62页 |
| ·阈值电压的温度特性 | 第62-69页 |
| ·阈值电压与温度的解析关系 | 第62-65页 |
| ·均匀掺杂漂移区LDMOS阈值电压的温度特性 | 第65-67页 |
| ·线性变掺杂漂移区LDMOS阈值电压的温度特性 | 第67-69页 |
| 第五章 结束语 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第79页 |
