当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
单片式智能功率IC功率管及使能电路设计
基于LDMOS结构的MOSFET研究
基于FPGA的KAISS相机控制系统的设计
界面修饰对有机场效应管性能影响的研究
Pentacene基有机场效应晶体管的稳定性研究
CCD光电测量信号的高速传输与控制设计
基于IGBT逆变的直流脉冲电源的研制
SOI LDMOS的电学和热学安全工作区研究
SOI横向功率器件中的二维场板理论研究
退火和表面处理对IGZO-TFT性能的影响研究
基于并五苯/P13的有机场效应晶体管研究
基于GaN异质结HEMT器件的金半接触新结构研究
新型有机场效应晶体管材料的合成研究
深亚微米RF-CMOS器件物理与模型研究
基于电荷泵技术的Si-SiO2界面电荷分布特性研究
基于酞菁铜的有机光敏场效应晶体管的研究
面阵CCD的图像采集与信号传输的研究
线阵CCD工业相机数据采集系统设计与研究
静轨卫星面阵CCD的成像仿真地物分析及积分时间研究
GaN基高电子迁移率场应管的可靠性研究
PMOSFET中负栅压温度不稳定性的空穴俘获机理
纳米CMOS器件的热载流子效应研究
EMCCD时序发生器及其驱动电路的研究
电极修饰对有机场效应管性能影响的研究
线阵CCD光谱仪设计及其光谱数据处理方法研究
超颖材料的场效应晶体管的性能
RF LDMOS功率晶体管特性表征
功率UMOSFET器件的特性研究与新结构设计
功率MOSFET击穿特性研究
20V N-沟道UMOS的设计及其栅漏电容的优化
沟槽型功率MOSFET设计与栅电荷研究
50A大功率脉冲恒流源技术研究与实现
先进三维集成电路(3D-IC)中硅通孔(TSV)和氮化镓(GaN)场效应管中的电—热—力特性研究
电子倍增CCD的工作模式及其光子计数成像研究
新型衬底上铪基高k栅介质材料的制备及同步辐射研究
深亚微米MOSFET建模技术研究
基于PSP模型的40nm MOS器件HCI可靠性模型研究
栅极多晶硅版图相关的40nm器件应力模型研究
基于并五苯和酞菁铜的有机效应管及其集成电路研究
基于成像规律的CCD镜头畸变的快速校正
基于CCD技术的激光粒度仪研究
面阵CCD高速成像电路技术研究
La-基高K栅介质Ge MOS器件制备及栅极直接隧穿电流模型
40nm MOSFET性能波动分析与模型研究
新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析
应变硅器件低场迁移率模型和新结构SGOI器件的性能分析
纳米围栅MOSFET器件研究
硅基应变MOSFET的研究和设计
基于PWM控制方式的电源管理芯片设计与实现
场效应晶体管的大信号模型研究
上一页
[34]
[35]
[36]
[37]
[38]
下一页