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AlGaN/GaN HEMT物理模型与器件耐压研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第一章 绪论第13-21页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件的应用优势第13-14页
   ·AlGaN/GaN HEMT 研究历史与现状第14-19页
   ·论文主要内容及安排第19-21页
第二章 AlGaN/GaN HEMT 电荷控制解析模型第21-51页
   ·AlGaN/GaN 异质结2DEG 的成因第21-24页
     ·极化效应第21-22页
     ·2DEG 来源第22-24页
   ·AlGaN/GaN HEMT 电荷控制模型第24-25页
   ·AlGaN/GaN 异质结费米能级与2DEG 密度关系模型第25-30页
     ·线性近似第25-26页
     ·非线性近似第26-27页
     ·线性化2DEG 密度与费米能级关系解析模型第27-30页
   ·AlGaN/GaN MISHEMT 耗尽近似下的电荷控制解析模型第30-38页
     ·MISHEMT 与肖特基HEMT 的比较第30-31页
     ·耗尽近似下的 MISHEMT 线性电荷控制解析模型第31-38页
   ·AlGaN/GaN MISHEMT 全域电荷控制模型第38-49页
     ·MISHEMT 全域电荷控制分析第38-42页
     ·MISHEMT 全域电荷控制解析模型第42-49页
   ·本章小结第49-51页
第三章 AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌效应研究第51-61页
   ·电流崩塌的成因第51-52页
     ·电流崩塌现象第51页
     ·虚栅模型第51-52页
   ·AlGaN/GaN HEMT 栅脉冲响应实验研究第52-57页
     ·器件结构及试验设置第52-53页
     ·不同V_(DS)的漏极电流响应第53-55页
     ·不同脉冲低电平的漏极电流响应第55-56页
     ·I_D(t)响应过程第56-57页
   ·AlGaN/GaN MISHEMT insulator/AlGaN 界面陷阱电荷提取第57-59页
   ·本章小结第59-61页
第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件耐压研究第61-91页
   ·AlGaN/GaN HEMT 耐压特性第61-67页
     ·器件试制第61-62页
     ·耐压测试及分析第62-67页
   ·AlGaN/GaN HEMT 场板工程概述第67-73页
     ·场板基本结构第68-70页
     ·场板的优化准则第70页
     ·场板 HEMT 基本参数之间关系分析第70-72页
     ·场板与频率关系第72-73页
   ·长栅漏距 AlGaN/GaN HEMT 源场板仿真优化第73-77页
     ·器件结构及设置第73-74页
     ·仿真优化结果及讨论第74-77页
   ·短栅漏距AlGaN/GaN HEMT 场板仿真优化第77-87页
     ·Γ栅场板器件仿真第77-81页
       ·Γ栅场板仿真优化第78-80页
       ·Γ栅场板频率特性仿真第80-81页
     ·Z 型源场板器件仿真第81-84页
       ·Z 型源场板仿真优化第81-83页
       ·Z 型源栅场板频率特性仿真第83-84页
     ·Γ栅场板与Z 型源场板混合结构器件仿真第84-86页
       ·Γ栅场板与Z 型源场板混合结构仿真优化第84-85页
       ·Γ栅场板与Z 型源场板混合结构频率特性仿真第85-86页
     ·Γ栅场板、Z 型源场板及Γ+Z 混合结构的比较第86-87页
   ·p- buffer 层短栅漏距AlGaN/GaN HEMT 耐压研究第87-89页
   ·本章小结第89-91页
第五章 高频高功率 AlGaN/GaN HEMT 试制与测试第91-102页
   ·AlGaN/GaN HEMT 设计与试制第91-92页
   ·直流测试与分析第92-95页
   ·功率测试与分析第95-100页
   ·频率测试与分析第100-101页
   ·本章小结第101-102页
第六章 结论第102-104页
致谢第104-105页
参考文献第105-115页
攻博期间取得的研究成果第115-116页

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