| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·磁电阻效应 | 第11-12页 |
| ·金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）结构 | 第12-13页 |
| ·研究现状及分析 | 第13-18页 |
| ·本文的研究内容和意义 | 第18-19页 |
| 第2章 Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的制备 | 第19-24页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)方法制备Fe_3O_4 薄膜 | 第19-20页 |
| ·Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构的制备 | 第20-21页 |
| ·n 型Si 衬底的清洗 | 第20页 |
| ·靶材制备 | 第20-21页 |
| ·薄膜的制备 | 第21页 |
| ·样品物性分析 | 第21-23页 |
| ·样品的XRD 分析 | 第21-22页 |
| ·样品的磁滞回线 | 第22页 |
| ·ZFC 和FC 曲线 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的磁电阻研究 | 第24-37页 |
| ·Fe_3O_4的能带结构和Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的能带示意图 | 第24页 |
| ·室温下Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构的I-V 曲线关系 | 第24-30页 |
| ·室温下I-V 曲线关系 | 第24-28页 |
| ·器件的双通道模型 | 第28-30页 |
| ·器件电阻随温度的变化关系曲线 | 第30-32页 |
| ·Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构磁电阻随磁场的变化关系 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 双岛状Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的磁电阻研究 | 第37-46页 |
| ·双岛状Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构的制备 | 第37-38页 |
| ·零场下电阻随温度的变化关系曲线 | 第38-40页 |
| ·不同温度下磁电阻MR 随磁场H 的变化关系 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 Fe_3O_4-SiO_2-Si结构的侧向光伏研究 | 第46-55页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构侧向光伏的测试 | 第47-50页 |
| ·薄膜的制备工作 | 第47-48页 |
| ·器件侧向光伏的测试 | 第48-50页 |
| ·Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构侧向光伏的讨论 | 第50-52页 |
| ·双岛状Fe_3O_4-SiO_2-Si 结构侧向光伏的讨论 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
