| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·课题背景与研究意义 | 第9-10页 |
| ·国内外发展动态和研究现状 | 第10-16页 |
| ·SOI 技术发展概述 | 第10-12页 |
| ·高压SOI 器件研究现状 | 第12-16页 |
| ·横向耐压技术 | 第12-14页 |
| ·纵向耐压技术 | 第14-16页 |
| ·本文的工作 | 第16-18页 |
| 第二章 薄硅层SOI 高压器件和耐压机理 | 第18-32页 |
| ·高压SOI 器件耐压机理 | 第18-21页 |
| ·器件击穿机理 | 第18-19页 |
| ·SOI LDMOS 耐压分析 | 第19-21页 |
| ·薄硅层线性变掺杂SOI 高压器件 | 第21-31页 |
| ·薄硅层线性变掺杂SOI 高压器件结构 | 第21页 |
| ·薄硅层SOI 耐压分析 | 第21-24页 |
| ·RESURF 原理 | 第24-27页 |
| ·线性变掺杂技术 | 第27-29页 |
| ·场板技术 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 线性变掺杂薄层SOI 高压器件特性研究 | 第32-44页 |
| ·漂移区长度和浓度影响 | 第32-36页 |
| ·漂移区长度 | 第32-34页 |
| ·漂移区浓度梯度 | 第34-36页 |
| ·漂移区厚度的影响 | 第36-38页 |
| ·场板的影响 | 第38-42页 |
| ·源极场板的影响 | 第38-40页 |
| ·栅极场板的影响 | 第40-42页 |
| ·P 阱浓度对阈值电压的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 线性变掺杂薄层SOI LDMOS 的工艺制备 | 第44-57页 |
| ·集成电路常用制造工艺简介 | 第46-49页 |
| ·工艺流程设计 | 第49-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 版图设计及测试结果 | 第57-63页 |
| ·版图设计 | 第58-60页 |
| ·测试结果 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |