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有机场效应晶体管电路仿真模型的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·引论第9页
   ·晶体管的种类第9-12页
     ·金属-绝缘层-半导体晶体管 (MISFET)第9-10页
     ·肖特基栅场效应晶体管 (MESFET)第10-11页
     ·场效应晶体管 (FET)第11-12页
   ·有机场效应晶体管的发展历程第12页
   ·有机场效应晶体管的应用现状第12-15页
     ·有机存储电路元件第12-13页
     ·有机平板显示技术第13-14页
     ·有机超导材料制备第14页
     ·气体传感第14页
     ·有机激光第14-15页
   ·有机场效应晶体管发展趋势及未来展望第15-16页
   ·本文所做工作及创新点第16-17页
第二章 有机场效应晶体管的研究与进展第17-31页
   ·有机场效应晶体管的基本结构、工作原理与性能评定第17-21页
     ·有机场效应晶体管的基本结构第17-18页
     ·有机场效应晶体管的工作原理第18-20页
     ·有机场效应晶体管的主要性能指标第20-21页
   ·有机半导体材料第21-25页
     ·p-沟道有机半导体材料第21-23页
     ·n-沟道有机半导体材料第23-25页
   ·绝缘层材料第25-26页
   ·有机场效应晶体管的制备技术第26-29页
     ·真空镀膜第26-27页
     ·溶液处理成膜第27-28页
     ·单晶技术第28-29页
   ·本章小结第29-31页
第三章 有机场效应晶体管直流模型分析第31-45页
   ·常见有机半导体载流子传输模型第31-34页
     ·小极化子 (small polaron)模型第31-32页
     ·多重捕获释放模型 (MTR)第32页
     ·跳跃传输模型第32-34页
   ·基于跳跃传输理论的直流模型第34-43页
     ·直流模型的数学分析第34-40页
     ·直流模型的仿真实验第40-43页
   ·本章小结第43-45页
第四章 基于HSPICE 的OFET 模型与电路设计第45-66页
   ·HSPICE 软件简介第45-46页
   ·LEVEL 62 RPI 模型研究第46-52页
     ·Level 62 RPI 模型直流电流分析第46-49页
     ·Level 62 RPI 模型电容特性第49-50页
     ·Level 62 RPI 模型建立与参数设置第50-52页
   ·参数提取与模型仿真验证第52-61页
     ·仿真实验一第52-57页
     ·验证仿真实验二第57-59页
     ·验证仿真实验三第59-61页
   ·基于LEVEL 62 模型的电路设计与仿真第61-65页
     ·反相器电路的设计第61-63页
     ·或非门 (nor) 电路的设计第63-64页
     ·同或门电路设计第64-65页
   ·本章小结第65-66页
第五章 结束语第66-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-78页
硕士研究生期间发表论文情况第78页

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