MOS型器件辐照损伤及退火效应研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题背景和意义 | 第8页 |
| ·空间辐射环境 | 第8-10页 |
| ·银河宇宙射线 | 第8-9页 |
| ·太阳宇宙射线和太阳风 | 第9页 |
| ·地球辐射带 | 第9-10页 |
| ·MOS型器件基本结构 | 第10-11页 |
| ·MOS辐射损伤效应 | 第11-14页 |
| ·电离辐射效应 | 第12页 |
| ·位移损伤效应 | 第12页 |
| ·MOS型器件辐照基本过程 | 第12-13页 |
| ·MOS器件辐照后的退火 | 第13页 |
| ·辐照效应对MOS型器件电性能的影响 | 第13-14页 |
| ·国内外研究概况及途径 | 第14-15页 |
| ·研究目的及内容 | 第15-16页 |
| 第2章 试验器件及试验方法 | 第16-20页 |
| ·试验器件 | 第16-17页 |
| ·试验测试参数 | 第17页 |
| ·试验辐照源 | 第17页 |
| ·电子辐照源 | 第17页 |
| ·质子辐照源 | 第17页 |
| ·试验测试装置 | 第17-20页 |
| 第3章 MOS器件辐照损伤效应 | 第20-38页 |
| ·CC4013 辐照损伤退化规律 | 第20-26页 |
| ·P沟道阈值电压(VthP)辐照退化规律 | 第20-23页 |
| ·N沟道阈值电压(VthN)辐照退化规律 | 第23-26页 |
| ·CC4007 辐照损伤退化规律 | 第26-32页 |
| ·PMOS晶体管阈值电压(VthP)辐照退化规律 | 第26-29页 |
| ·NMOS晶体管阈值电压(VthN)辐照退化规律 | 第29-32页 |
| ·MOS器件辐照损伤机理分析 | 第32-37页 |
| ·电子-空穴对 | 第32-33页 |
| ·氧化物陷阱电荷 | 第33-34页 |
| ·界面态 | 第34-35页 |
| ·阈值电压退化机理 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 MOS器件辐照退火效应 | 第38-55页 |
| ·CC4013 退火规律 | 第38-45页 |
| ·P沟道阈值电压(VthP)退火规律 | 第38-41页 |
| ·N沟道阈值电压(VthN)退火规律 | 第41-45页 |
| ·CC4007 退火规律 | 第45-50页 |
| ·PMOS晶体管阈值电压(VthP)退火规律 | 第45-48页 |
| ·NMOS晶体管阈值电压(VthN)退火规律 | 第48-50页 |
| ·MOS器件退火效应机理分析 | 第50-54页 |
| ·氧化物陷阱电荷和界面态的退火 | 第50-52页 |
| ·阈值电压退火 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
