| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·集成电路的发展现状和存在问题 | 第9-10页 |
| ·SOI 的特点及应用 | 第10-12页 |
| ·SOI 技术的发展 | 第12-13页 |
| ·本文的内容安排及研究意义 | 第13-14页 |
| 第二章 SOI 技术和器件基础 | 第14-28页 |
| ·SOI 材料主流制备技术 | 第14-18页 |
| ·注氧隔离技术SIMOX | 第14-16页 |
| ·硅片键合与背面腐蚀SOI 技术BESOI | 第16页 |
| ·智能剥离技术（Smart-cut） | 第16-18页 |
| ·其它常用技术 | 第18页 |
| ·SOI 器件的基本特性 | 第18-23页 |
| ·背栅效应 | 第19-20页 |
| ·短沟道效应（SCE） | 第20-21页 |
| ·漏致势垒降低效应（DIBL） | 第21-22页 |
| ·浮体效应 | 第22-23页 |
| ·自加热效应 | 第23页 |
| ·短沟道SOI MOSFET 器件建模基础 | 第23-27页 |
| ·抛物线近似模型 | 第24-26页 |
| ·准二维模型 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 异质栅单Halo SOI MOSFET 性能分析 | 第28-46页 |
| ·仿真软件medici 介绍 | 第28-29页 |
| ·异质栅单Halo 结构的提出 | 第29-30页 |
| ·异质栅单Halo 结构SOI MOSFET 阈值电压模型 | 第30-45页 |
| ·器件结构和器件特性仿真 | 第31-33页 |
| ·不考虑器件隐埋层二维效应的阈值电压模型 | 第33-34页 |
| ·考虑器件隐埋层二维效应的阈值电压模型 | 第34-39页 |
| ·隐埋层对器件特性的影响 | 第39-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 新型SOI MOSFET 结构研究 | 第46-65页 |
| ·器件缩小至纳米级时所面临的问题 | 第46-47页 |
| ·多晶硅耗尽效应 | 第46-47页 |
| ·栅介质 | 第47页 |
| ·杂质随机分布 | 第47页 |
| ·多栅SOI 器件 | 第47-54页 |
| ·双栅SOI | 第48-50页 |
| ·多栅SOI | 第50-54页 |
| ·超薄体SOI MOS 器件 | 第54-57页 |
| ·源漏提升的超薄体SOI 器件的制备工艺 | 第55-57页 |
| ·薄隐埋层的超薄体GP SOI 器件 | 第57-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结束语 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75页 |