首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

AlGaN/GaN微波功率器件建模与功率合成研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-15页
   ·课题研究背景与意义第8-11页
   ·国内外研究情况第11-13页
   ·本论文主要研究内容第13-15页
第二章 AlGaN/GaN HEMT 小信号模型分析第15-32页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件结构与工作原理第15-20页
   ·HEMT 小信号模型第20-21页
   ·AlGaN/GaN HEMT 小信号模型分析第21-29页
     ·寄生参数提取第24-27页
     ·本征参数的提取第27-29页
   ·模型验证第29-32页
第三章 AlGaN/GaN HEMT 大信号模型分析第32-45页
   ·HEMT 大信号模型第32-34页
   ·AlGaN/GaN HEMT 大信号直流I-V 特性模型第34-41页
     ·Curtice 模型第34-36页
     ·Materka 模型第36页
     ·Statz 模型第36-37页
     ·TOM 模型第37-38页
     ·Parker 模型第38-39页
     ·Angelov 模型第39-40页
     ·Tajima 1 模型和Tajima 2 模型第40-41页
   ·基于Angelov 模型的大信号模型分析第41-43页
   ·AlGaN/GaN HEMT 非线性电容模型第43-45页
第四章 AlGaN/GaN HEMT 微波功率合成研究第45-67页
   ·功率放大器的分类第45-50页
     ·线性功率放大器第45-47页
     ·非线性功率放大器第47-50页
   ·微带型Wilkinson 功率分配器/合成器的设计与仿真第50-59页
     ·Wilkinson 功率分配器/合成器分析第50-56页
     ·Wilkinson 功率分配器/合成器的设计与仿真第56-59页
   ·AlGaN/GaN HEMT 单管微波功率放大器的设计与分析第59-63页
   ·AlGaN/GaN HEMT 双管微波功率合成电路的设计与分析第63-67页
第五章 结论第67-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-75页
在攻硕期间取得的研究成果第75-76页

论文共76页,点击 下载论文
上一篇:基于BZN变容管的VCO相位噪声及锁相技术研究
下一篇:一种适用于功率驱动电路的BCD工艺开发及优化