| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| ·选题背景 | 第10-12页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的发展历史及研究动态 | 第12-15页 |
| ·本论文的研究工作及安排 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT的结构原理及仿真模型 | 第16-30页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的结构原理 | 第16-19页 |
| ·工艺仿真软件(TCAD) | 第19-20页 |
| ·物理方程 | 第20-21页 |
| ·泊松方程 | 第20页 |
| ·连续性方程 | 第20-21页 |
| ·器件仿真模型 | 第21-29页 |
| ·材料参数 | 第29-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN Power HEMT仿真 | 第30-41页 |
| ·工艺基础 | 第30页 |
| ·器件结构 | 第30-35页 |
| ·能带图 | 第34页 |
| ·二维电子气电荷浓度 | 第34-35页 |
| ·器件直流特性 | 第35-39页 |
| ·漏电流 | 第35-37页 |
| ·晶体管输出特性 | 第37-39页 |
| ·小信号跨导 | 第39-41页 |
| 第四章 器件优化 | 第41-53页 |
| ·极化电荷密度 | 第41-43页 |
| ·AlGaN表面的施主陷阱密度 | 第43-45页 |
| ·接触电阻 | 第45-47页 |
| ·AlGaN层厚度 | 第47-49页 |
| ·源栅距离 | 第49-51页 |
| ·优化结果 | 第51-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 1 结论 | 第53-54页 |
| 2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 作者简历 | 第58-60页 |
| 学位论文数据集 | 第60页 |
