| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·MOS场效应晶体管的发展现状和趋势 | 第8-11页 |
| ·体硅MOSFET的发展现状 | 第8-10页 |
| ·SOI MOSFET的发展现状 | 第10-11页 |
| ·射频LDMOSFET的最新进展 | 第11-13页 |
| ·MOS场效应晶体管的SPICE模型及非准静态效应的研究进展 | 第13-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 体硅MOSFET的非准静态效应研究 | 第17-37页 |
| ·MOSFET准静态模型 | 第17-23页 |
| ·PSP准静态模型的推导 | 第17-19页 |
| ·PSP准静态模型仿真工具的开发 | 第19-22页 |
| ·PSP准静态模型的局限性 | 第22-23页 |
| ·MOSFET的非准静态效应 | 第23-31页 |
| ·Compact物理模型 | 第23-28页 |
| ·仿真工具的开发与模型的验证 | 第28-31页 |
| ·物理参数和偏置条件对非准静态效应的影响 | 第31-35页 |
| ·沟道长度的影响 | 第31-33页 |
| ·沟道浓度的影响 | 第33-34页 |
| ·栅压偏置的影响 | 第34-35页 |
| ·临界升压时间 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 SOI MOSFET的非准静态效应研究 | 第37-44页 |
| ·不同器件的结构示意图 | 第37-38页 |
| ·不同器件的各终端电流比较 | 第38页 |
| ·物理机制分析 | 第38-40页 |
| ·栅压增加过程 | 第38-40页 |
| ·栅压保持过程 | 第40页 |
| ·非准静态效应的表征 | 第40-43页 |
| ·非准静态过程的划分与临界升压时间 | 第40-42页 |
| ·器件结构参数对非准静态效应的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 LDMOSFET的非准静态效应研究 | 第44-63页 |
| ·LDMOSFET的基本结构与等效电路 | 第44-46页 |
| ·数学模型及仿真工具的开发 | 第46-50页 |
| ·数学模型 | 第46页 |
| ·仿真工具的开发与表面势和反型层电荷的分析 | 第46-50页 |
| ·不包含积累态的准静态和非准静态电流比较 | 第50-52页 |
| ·栅压上升过程 | 第50-51页 |
| ·栅压下降过程 | 第51-52页 |
| ·包含积累态的准静态与非准静态电流比较 | 第52-54页 |
| ·从积累态到强反型态 | 第52-53页 |
| ·从强反型态到积累态 | 第53-54页 |
| ·结构参数和栅压上升时间对LDMOSFET非准静态效应的影响 | 第54-62页 |
| ·漂移区长度的影响 | 第54-56页 |
| ·漂移区浓度的影响 | 第56-58页 |
| ·漂移区厚度的影响 | 第58-61页 |
| ·栅压上升速率的影响 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |