| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究意义 | 第9-11页 |
| ·碳化硅功率UMOSFET的发展 | 第11-18页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 碳化硅功率UMOSFET的设计 | 第19-32页 |
| ·碳化硅功率UMOSFET器件的工作原理 | 第19-20页 |
| ·碳化硅功率UMOSFET器件设计 | 第20-24页 |
| ·器件的基本设计 | 第20-22页 |
| ·器件栅氧化层可靠性设计 | 第22-24页 |
| ·碳化硅功率GE-UMOSFET器件设计 | 第24-25页 |
| ·器件的工作原理 | 第24-25页 |
| ·器件的设计 | 第25页 |
| ·碳化硅功率GE-ACCUFET器件设计 | 第25-28页 |
| ·器件的工作原理 | 第26页 |
| ·器件的设计 | 第26-28页 |
| ·物理模型的建立 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 碳化硅功率GE-UMOSFET器件的特性研究 | 第32-52页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·器件的仿真结果与分析 | 第32-48页 |
| ·器件的导通电阻模型研究 | 第34-36页 |
| ·器件的结构参数研究 | 第36-44页 |
| ·器件的栅电荷分析 | 第44-46页 |
| ·器件温度特性的研究 | 第46-48页 |
| ·器件的基本工艺流程 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 碳化硅功率GE-ACCUFET器件的特性研究 | 第52-69页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·器件的仿真结果与分析 | 第52-65页 |
| ·器件导通电阻模型研究 | 第53-56页 |
| ·器件的结构参数研究 | 第56-63页 |
| ·器件的栅电荷分析 | 第63页 |
| ·器件温度特性的研究 | 第63-65页 |
| ·器件的基本工艺流程 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |