| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·GaN 材料的应用优势 | 第10-11页 |
| ·HEMT 器件的研究历史及现状 | 第11-16页 |
| ·论文主要内容及安排 | 第16-18页 |
| 第二章 基本理论 | 第18-34页 |
| ·FET 基本原理 | 第18-20页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 器件 | 第20-25页 |
| ·HEMT 的原理 | 第20-21页 |
| ·极化效应和AlGaN/GaN 异质结的2DEG | 第21-25页 |
| ·自发极化效应 | 第22页 |
| ·压电极化效应 | 第22-23页 |
| ·二维电子气的形成 | 第23-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 的表面态 | 第25-27页 |
| ·表面态 | 第25-26页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 的空间电荷分析 | 第26-27页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 的陷阱效应 | 第27-31页 |
| ·电流崩塌 | 第27-28页 |
| ·栅延迟和漏延迟 | 第28-29页 |
| ·表面态相关的栅泄漏电流和器件可靠性 | 第29-30页 |
| ·虚栅 | 第30-31页 |
| ·TCAD 仿真和建模 | 第31-34页 |
| ·TCAD 介绍 | 第31页 |
| ·物理基础 | 第31-34页 |
| 第三章 器件模型的建立与优化 | 第34-57页 |
| ·HEMT 器件模型的构建 | 第34-41页 |
| ·仿真物理模型的设定 | 第34-36页 |
| ·器件的电特性仿真 | 第36-41页 |
| ·基于高压下电场强度最大值的优化 | 第41-47页 |
| ·调整栅漏距离 | 第41-42页 |
| ·调整势垒层的厚度和掺杂浓度 | 第42-43页 |
| ·改变极化电荷量 | 第43-44页 |
| ·使用GaN 盖帽层 | 第44-45页 |
| ·使用场板结构 | 第45-46页 |
| ·使用表面钝化技术 | 第46-47页 |
| ·基于大电流下源极电阻的优化 | 第47-57页 |
| ·源极电阻的调制效应 | 第47-50页 |
| ·大电流下的g_m 和C_(gs) | 第50-52页 |
| ·C_(gs), C_(gd) 和g_m, g_d 与漏电流的关系 | 第52-54页 |
| ·源极电阻的非线性引起截止频率的改变 | 第54-55页 |
| ·器件的优化 | 第55-57页 |
| 第四章 偏压下的电致耦合效应 | 第57-69页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的极化效应模型的不足 | 第57-59页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的电致耦合效应 | 第59-69页 |
| ·非耦合下的双轴应力 | 第59-62页 |
| ·电致耦合下的三轴应力 | 第62-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第76-77页 |