| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·研究状况 | 第9-10页 |
| ·论文内容与组织 | 第10-11页 |
| 第二章 辐射环境及器件基本损伤机理 | 第11-24页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·辐射基本概念 | 第11-17页 |
| ·辐射环境 | 第11-13页 |
| ·辐射来源 | 第13-14页 |
| ·辐射与器件的相互作用 | 第14-17页 |
| ·器件损伤机理 | 第17-21页 |
| ·电离损伤 | 第18-19页 |
| ·位移损伤 | 第19-21页 |
| ·辐射对器件界面态的影响 | 第21-22页 |
| ·小结 | 第22-24页 |
| 第三章 VDMOS 结构及主要参数 | 第24-33页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·VDMOS 物理结构 | 第24-25页 |
| ·VDMOS 工作原理 | 第25-27页 |
| ·VDMOS 器件的主要特点 | 第27-28页 |
| ·VDMOS 主要电学参数 | 第28-33页 |
| ·导通电阻R_(on) | 第28-29页 |
| ·阈值电压 V_(gs(th) | 第29-30页 |
| ·漏源电流I_(DS) | 第30-31页 |
| ·漏源击穿电压BV_(DS) | 第31-32页 |
| ·跨导g_m | 第32-33页 |
| 第四章 VDMOS 器件的总剂量辐射效应及仿真分析 | 第33-57页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·辐射感应氧化物对VDMOS 管特性的影响 | 第33-34页 |
| ·总剂量辐射对VDMOS 器件阈值电压V_(th)的影响 | 第34-42页 |
| ·栅源电压（VGS）对阈值电压的影响 | 第35-37页 |
| ·器件尺寸对阈值电压漂移的影响 | 第37-39页 |
| ·温度对阈值电压的影响 | 第39-42页 |
| ·总剂量辐射对跨导g_m 的影响 | 第42-45页 |
| ·利用MEDICI 仿真VMDOS 总剂量辐照效应 | 第45-56页 |
| ·概述 | 第45-47页 |
| ·常用器件仿真软件介绍 | 第47-51页 |
| ·MEDICI 仿真软件介绍 | 第51页 |
| ·MEDICI 仿真软件的主要特性 | 第51-52页 |
| ·MEDICI 器件仿真软件的常用语句与语法 | 第52-54页 |
| ·MEDICI 模拟VDMOS 器件特性 | 第54-55页 |
| ·MEDICI 模拟VDMOS 总剂量辐照效应 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 辐射损伤缺陷的测量 | 第57-61页 |
| ·测量方法 | 第57-60页 |
| ·显微镜法 | 第57-58页 |
| ·沟道—背散射法 | 第58-59页 |
| ·红外光谱法IR | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
