小尺寸MOS器件阈值电压的三维建模与仿真研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·MOS器件的小尺寸效应 | 第8-9页 |
| ·MOS器件短沟道效应模型的研究进展 | 第9-14页 |
| ·基于电荷分享理论的短沟道阈值电压模型 | 第9-11页 |
| ·基于二维泊松方程的短沟道阈值电压模型 | 第11-12页 |
| ·基于修正参量的二维泊松方程的短沟道阈值电压模型 | 第12-14页 |
| ·MOS器件窄沟道/反向窄沟道效应模型的研究进展 | 第14-17页 |
| ·基于电荷分享理论的窄沟道阈值电压模型 | 第14-15页 |
| ·基于二维泊松方程的反向窄沟道阈值电压模型 | 第15-17页 |
| ·MOS器件模型的研究进展 | 第17-20页 |
| ·MOS器件表面电势模型的研究进展 | 第17-18页 |
| ·MOS器件阈值电压模型的研究进展 | 第18-20页 |
| ·本文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 小尺寸MOS器件的三维表面电势分布模型 | 第22-36页 |
| ·三维表面电势模型的建立 | 第22-29页 |
| ·器件结构参数对表面电势的影响 | 第29-32页 |
| ·表面电势与沟道尺寸的变化关系 | 第29-30页 |
| ·表面电势与沟道浓度的变化关系 | 第30-31页 |
| ·表面电势与栅氧化层厚度的变化关系 | 第31-32页 |
| ·外加偏置电压对表面电势的影响 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 小尺寸MOS器件的三维表面电场分布模型 | 第36-50页 |
| ·三维表面场模型的推导 | 第36-40页 |
| ·器件结构参数对表面电场的影响 | 第40-45页 |
| ·表面电场与沟道宽度的变化关系 | 第40-42页 |
| ·表面电场与沟道浓度的变化关系 | 第42-44页 |
| ·表面电场与栅氧化层厚度的变化关系 | 第44-45页 |
| ·外加偏置电压对表面电场的影响 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 小尺寸MOS器件的阈值电压模型 | 第50-63页 |
| ·MOS器件三维阈值电压模型 | 第50-57页 |
| ·模型推导 | 第50-51页 |
| ·短沟道效应 | 第51-53页 |
| ·窄沟道/反向窄沟道效应 | 第53-56页 |
| ·大尺寸器件的阈值电压 | 第56-57页 |
| ·漏电压对阈值电压的影响 | 第57-62页 |
| ·模型推导 | 第57-59页 |
| ·漏致势垒降低效应 （DIBL） | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的论文 | 第70页 |
