高压SOI LDMOS器件结构设计与模拟研究

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第1章 绪论	第10-21页
·SOI技术的发展概述	第10-11页
·SOI器件的研究和发展现状	第11-20页
·横向耐压技术	第11-15页
·纵向耐压技术	第15-20页
·本论文的主要研究内容	第20-21页
第2章 SOI LDMOS器件的结构设计原理	第21-36页
·LDMOS器件的击穿机理	第21-22页
·常用的优化横向器件的终端技术	第22-25页
·场限环技术	第22页
·场板技术	第22-23页
·RESURF技术	第23-25页
·RESUEF SOI LDMOS器件的结构设计	第25-35页
·沟道区设计	第26页
·埋氧层厚度设计	第26-27页
·场板的设计	第27-31页
·漂移区设计	第31-35页
·本章小结	第35-36页
第3章 浮栅结构SOI LDMOS器件的模拟研究	第36-53页
·器件结构与工作原理	第36-37页
·仿真结果的分析与讨论	第37-51页
·器件的性能比较	第37-40页
·浮栅SOI LDMOS器件结构的优化	第40-49页
·浮栅SOI LDMOS器件自热效应的分析	第49-51页
·本章小结	第51-53页
第4章 沟槽结构SOI LDMOS器件的模拟研究	第53-71页
·器件结构与工作原理	第53-54页
·仿真结果的分析与讨论	第54-69页
·器件的性能比较	第54-57页
·沟槽SOI LDMOS器件结构的优化	第57-67页
·沟槽SOI LDMOS器件自热效应的分析	第67-69页
·本章小结	第69-71页
结论	第71-72页
参考文献	第72-78页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果	第78-79页
致谢	第79页