| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| ·超结功率器件的发展 | 第13-20页 |
| ·超结中的电荷不平衡问题 | 第20-22页 |
| ·衬底辅助耗尽效应与横向超结器件 | 第22-27页 |
| ·本论文的主要工作和创新 | 第27-30页 |
| 第二章 横向超结功率器件的降低体电场（REBULF）新技术 | 第30-48页 |
| ·横向超结器件的耐压特性分析 | 第30-34页 |
| ·降低体电场（REBULF）技术 | 第34-35页 |
| ·横向超结器件的REBULF 耐压模型 | 第35-46页 |
| ·基于电荷补偿的REBULF 耐压模型 | 第35-41页 |
| ·耐压结构原理分析 | 第35-37页 |
| ·耐压与导通电阻特性 | 第37-39页 |
| ·电荷平衡条件 | 第39-41页 |
| ·基于介质场增强的REBULF 耐压模型 | 第41-44页 |
| ·耐压结构原理分析 | 第42-43页 |
| ·界面电荷平衡条件 | 第43-44页 |
| ·基于电位调节的REBULF 耐压模型 | 第44-46页 |
| ·耐压结构原理分析 | 第44-46页 |
| ·电位平衡条件 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 基于电荷补偿的硅基横向超结SLOP LDMOS | 第48-65页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·常用硅基横向超结功率MOSFET | 第48页 |
| ·与BCD 工艺兼容的结构研究 | 第48-49页 |
| ·SLOP LDMOS 器件工作原理 | 第49-54页 |
| ·原理结构描述 | 第49-51页 |
| ·反向耐压分析 | 第51-53页 |
| ·导通电阻分析 | 第53-54页 |
| ·SLOP LDMOS 工艺及器件仿真 | 第54-57页 |
| ·SLOP LDMOS 参数优化设计 | 第57-59页 |
| ·超结浓度 | 第57-58页 |
| ·外延浓度 | 第58-59页 |
| ·实验 | 第59-64页 |
| ·工艺流程设计 | 第59-60页 |
| ·器件版图设计 | 第60-62页 |
| ·实验结果 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 基于电场增强的SOI SJ-LDMOS | 第65-90页 |
| ·SOI 功率器件 | 第65-67页 |
| ·具有埋氧层固定电荷的SOI SJ-LDMOS | 第67-75页 |
| ·器件工作原理 | 第68-70页 |
| ·固定电荷注入工艺 | 第70-71页 |
| ·耐压分析 | 第71-73页 |
| ·参数优化 | 第73-75页 |
| ·具有动态缓冲层的SOI SJ-LDMOS | 第75-81页 |
| ·器件工作原理 | 第75-77页 |
| ·电荷槽SOI 制备工艺 | 第77-78页 |
| ·耐压分析 | 第78-80页 |
| ·参数优化 | 第80-81页 |
| ·具有非耗尽动态缓冲层的SOI SJ-LDMOS | 第81-88页 |
| ·器件工作原理 | 第82-83页 |
| ·耐压分析 | 第83-85页 |
| ·参数优化 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 具有动态背栅电压的SOI SJ-LDMOS | 第90-99页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·具有动态背栅电压的SOI SJ-LDMOS 工作原理 | 第91-93页 |
| ·耐压分析 | 第93-96页 |
| ·参数优化 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第六章 基于电荷补偿的PSOI SJ-LDMOS | 第99-107页 |
| ·引言 | 第99-102页 |
| ·PSOI 基功率器件 | 第99-100页 |
| ·PSOI 材料的制备 | 第100-102页 |
| ·基于电荷补偿的PSOI SJ-LDMOS 工作原理 | 第102-104页 |
| ·耐压特性 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第七章 结论与展望 | 第107-110页 |
| ·结论 | 第107-109页 |
| ·下一步的工作 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第119-121页 |
