浮栅结构和铁电栅介质有机场效应存储器件研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景:有机半导体器件的发展 | 第8-9页 |
| ·有机场效应晶体管(OFET)的应用领域 | 第9-11页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 OFET器件及其所用半导体材料 | 第12-23页 |
| ·OFET的发展概述 | 第12-13页 |
| ·OFET的结构和工作原理 | 第13-17页 |
| ·OFET的基本结构 | 第13-14页 |
| ·OFET的工作原理 | 第14-17页 |
| ·有机半导体材料 | 第17-23页 |
| ·有机半导体材料 | 第18-19页 |
| ·并五苯特性研究 | 第19-23页 |
| 第三章 OFET器件模型及其仿真验证 | 第23-34页 |
| ·器件模拟的基本方程 | 第23-28页 |
| ·泊松方程 | 第23-24页 |
| ·电流连续性方程 | 第24页 |
| ·载流子(电流)输运模型及其适用性分析 | 第24-28页 |
| ·基于ATLAS软件的仿真 | 第28-29页 |
| ·输入和输出文件 | 第28-29页 |
| ·模拟仿真过程 | 第29页 |
| ·OFET的模拟仿真及模型验证 | 第29-34页 |
| ·并五苯OFET仿真 | 第30-32页 |
| ·实验结果及模型验证 | 第32-34页 |
| 第四章 浮柵结构OFET存储器件 | 第34-45页 |
| ·浮栅结构OFET存储器件的结构 | 第34-35页 |
| ·浮柵结构OFET存储器件的工作原理 | 第35-37页 |
| ·浮栅结构OFET存储器件的特性模拟 | 第37-41页 |
| ·浮柵结构OFET存储器件的特性 | 第41-45页 |
| ·浮柵结构OFET的输出特性和转移特性 | 第41-42页 |
| ·浮栅结构OFET编程后阈值电压的变化 | 第42-43页 |
| ·浮柵结构OFET的存储特性 | 第43-45页 |
| 第五章 铁电栅介质OFET存储器件 | 第45-57页 |
| ·铁电材料和铁电存储器件 | 第45-47页 |
| ·铁电材料特性 | 第45-47页 |
| ·铁电存储器件的工作模式 | 第47页 |
| ·铁电OFET的结构和工作原理 | 第47-50页 |
| ·铁电OFET的结构 | 第47-48页 |
| ·铁电OFET的工作原理 | 第48-50页 |
| ·铁电材料的极化模型及其实验验证 | 第50-53页 |
| ·铁电材料的极化模型 | 第50-51页 |
| ·极化模型的实验验证 | 第51-53页 |
| ·铁电OFET存储器件的特性仿真及分析 | 第53-57页 |
| ·铁电OFET存储器件结构和材料参数 | 第53页 |
| ·铁电OFET器件模拟及其尺寸优化 | 第53-56页 |
| ·铁电OFET阂值电压的变化及其存储特性 | 第56-57页 |
| 第六章 结论和展望 | 第57-59页 |
| ·主要结论 | 第57页 |
| ·工作展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 在学期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
