| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| ·GaN HEMT 器件的研究现状 | 第8-11页 |
| ·GaN 的材料优点及HEMT 器件的工作原理 | 第11-13页 |
| ·表征 HEMT 器件的基本参数 | 第13-17页 |
| ·本论文的研究目的 | 第17-19页 |
| 第二章 电容电压法分析 AlGaN/GaN 异质结构缺陷态 | 第19-30页 |
| ·电容电压法的测试原理 | 第19-21页 |
| ·电容电压法分析二维电子气密度 | 第21-24页 |
| ·变频电容电压法缺陷态分析 | 第24-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 异质结构的氟基等离子体处理 | 第30-50页 |
| ·氟基等离子体辐照对材料的影响 | 第30-33页 |
| ·对夹断电压的影响 | 第31-32页 |
| ·对沟道2DEG 浓度的影响 | 第32-33页 |
| ·对沟道2DEG 迁移率的影响 | 第33页 |
| ·氟基等离子辐照对器件性能的分析 | 第33-48页 |
| ·氟基等离子体处理 GaN HEMT 器件工艺流程 | 第34-36页 |
| ·HEMT 器件的直流输出测试 | 第36-41页 |
| ·电流崩塌测试 | 第41-44页 |
| ·射频小信号测试 | 第44-47页 |
| ·Load-pull 大信号测试 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第四章 氟基等离子体对阈值电压影响的器件模拟 | 第50-57页 |
| ·氟离子的作用机理 | 第50-54页 |
| ·仿真结果 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结及展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第62-63页 |
