| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·课题选题依据与研究意义 | 第10-17页 |
| ·VDMOS 器件的结构特点与分类 | 第10-11页 |
| ·VDMOS 器件工作原理 | 第11页 |
| ·VDMOS 器件静态特性 | 第11-12页 |
| ·VDMOS 器件的动态特性 | 第12-14页 |
| ·VDMOS 器件主要参数 | 第14-15页 |
| ·VDMOS 器件的发展 | 第15-16页 |
| ·VDMOS 的主要技术特点 | 第16-17页 |
| ·小结 | 第17页 |
| ·VDMOS 的发展态势与市场前景 | 第17-18页 |
| ·VDMOS 器件的主要应用范围 | 第17-18页 |
| ·VDMOS 的市场前景 | 第18页 |
| ·本论文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 高压VDMOS 器件导通电阻模型 | 第20-29页 |
| ·VDMOS 导电原理分析 | 第20-22页 |
| ·VDMOS 导通电阻模型 | 第22-29页 |
| ·接触电阻模型 | 第23页 |
| ·N 型漏区电阻模型 | 第23-24页 |
| ·沟道电阻模型 | 第24-25页 |
| ·积累层电阻模型 | 第25页 |
| ·JFET 区电阻模型 | 第25-26页 |
| ·外延层漂移区电阻模型 | 第26-29页 |
| 第三章 VDMOS 器件设计 | 第29-56页 |
| ·纵向结构设计 | 第29-42页 |
| ·外延材料电阻率、外延层厚度的选取 | 第29-30页 |
| ·PBODY 结深设计 | 第30-35页 |
| ·对多外延层结构的仿真模拟 | 第35-41页 |
| ·纵向结构对导通电阻的影响 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| ·横向结构设计 | 第42-47页 |
| ·元胞结构设计及结构参数推导 | 第42-45页 |
| ·终端结构设计 | 第45-46页 |
| ·栅氧化层厚度的设计 | 第46-47页 |
| ·VDMOS 元胞多晶硅栅宽a 优化 | 第47-56页 |
| ·对元胞多晶硅栅宽a 进行理论优化 | 第47-51页 |
| ·对元胞多晶硅栅宽a 进行器件仿真优化 | 第51-53页 |
| ·对元胞多晶硅栅宽a 进行工艺器件联合仿真 | 第53-56页 |
| 第四章 3N60 高压VDMOS 器件的制备与测试 | 第56-73页 |
| ·版图设计 | 第56-60页 |
| ·M10 次版图的设计 | 第57页 |
| ·M20 次版图的设计 | 第57-58页 |
| ·M30 次版图的设计 | 第58-59页 |
| ·M40 次版图的设计 | 第59页 |
| ·M50 次版图的设计 | 第59-60页 |
| ·M60 次版图的设计 | 第60页 |
| ·VDMOS 器件的工艺制备 | 第60-65页 |
| ·器件设计指标要求 | 第60-62页 |
| ·工艺流程 | 第62-64页 |
| ·工艺加工流程过程中器件的剖面结构示意 | 第64-65页 |
| ·VDMOS 性能测试 | 第65-73页 |
| ·VDMOS 直流特性测试 | 第66-69页 |
| ·器件温度特性测试 | 第69-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 附录 | 第77-78页 |