| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-30页 |
| ·研究背景与意义 | 第12-16页 |
| ·研究背景 | 第12-16页 |
| ·研究意义 | 第16页 |
| ·应变硅技术的国内外发展状况 | 第16-27页 |
| ·全局应变硅技术 | 第17-21页 |
| ·应变Si/弛豫SiGe缓冲层技术 | 第17-19页 |
| ·应变Si/绝缘层上弛豫SiGe(SGOI) | 第19页 |
| ·绝缘层上应变Si(SSOI) | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| ·局部应变硅技术 | 第21-25页 |
| ·金属硅化物技术 | 第21页 |
| ·浅槽隔离技术 | 第21-22页 |
| ·氮化硅盖帽层技术 | 第22-23页 |
| ·源漏SiGe(SiC)技术 | 第23-25页 |
| ·小结 | 第25页 |
| ·其它应变硅技术 | 第25-27页 |
| ·国内应变硅技术研究现状 | 第27页 |
| ·论文的主要内容 | 第27-30页 |
| 第二章 硅中引入的应变及其测量方法 | 第30-54页 |
| ·硅中引入的应力与晶格应变 | 第31-39页 |
| ·Si中应变与应力的关系 | 第31-35页 |
| ·单轴应力引入硅中的应变 | 第35-37页 |
| ·双轴应力引入Si中的应变 | 第37-39页 |
| ·引入Si中应变的测量方法 | 第39-53页 |
| ·晶格应变的HRXRD表征方法 | 第40-42页 |
| ·Si晶格微应变的HRXRD测量方法 | 第42-48页 |
| ·Si中微区应变的HRXRD测量方法 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 应变硅载流子迁移率增强机理 | 第54-76页 |
| ·应变对Si能带结构的作用 | 第55-64页 |
| ·应变对Si导带结构的作用 | 第56-62页 |
| ·应变对Si价带结构的作用 | 第62-64页 |
| ·应变增强Si载流子迁移率机理 | 第64-75页 |
| ·应变Si中载流子的有效质量 | 第65-70页 |
| ·应变Si中载流子的散射 | 第70-73页 |
| ·应变Si载流子迁移率增强机理 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 硅基局部应变引入方法及其机理 | 第76-96页 |
| ·氮化硅盖帽层引入应变的机理与方法 | 第76-83页 |
| ·氮化硅盖帽层产生应力的物理机理 | 第77-79页 |
| ·氮化硅盖帽层引入应变的实验研究 | 第79-83页 |
| ·样品制备 | 第79-80页 |
| ·实验结果与分析 | 第80-83页 |
| ·浅槽隔离引入应变的机理与方法 | 第83-86页 |
| ·浅槽隔离产生应力的物理机理 | 第84页 |
| ·浅槽隔离引入应变的实验研究 | 第84-86页 |
| ·样品制备 | 第84-85页 |
| ·实验结果与分析 | 第85-86页 |
| ·等效应变记忆方法 | 第86-91页 |
| ·等效应变记忆原理 | 第86-89页 |
| ·实验结果与分析 | 第89-91页 |
| ·局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)材料生长与表征 | 第91-95页 |
| ·局部双轴压应变Si_(1-x)Ge_x材料的生长 | 第92页 |
| ·局部双轴压应变Si_(1-x)Ge_x材料的表征 | 第92-95页 |
| ·表面形貌与粗糙度分析 | 第93-94页 |
| ·晶体HRXRD测试结果与分析 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 基于低温硅的全局应变硅技术 | 第96-122页 |
| ·基于低温硅技术双轴应变硅材料制备的原理 | 第97-107页 |
| ·应变SiGe的弛豫机理 | 第97-101页 |
| ·低温Si技术释放应变SiGe中应变的弛豫机制 | 第101-106页 |
| ·离子注入对应变SiGe弛豫的影响 | 第106-107页 |
| ·基于低温硅技术制备薄虚拟衬底的双轴应变Si材料 | 第107-111页 |
| ·基于低温Si技术制备双轴应变Si材料 | 第107-108页 |
| ·双轴应变Si材料的特性表征 | 第108-111页 |
| ·应变Si_(1-x)Ge_x弛豫度与Ge组分的测量 | 第108-110页 |
| ·薄膜表面形貌与界面质量的确定 | 第110-111页 |
| ·基于低温硅技术应变硅MOS器件的关键工艺研究 | 第111-118页 |
| ·低温热氧化制备栅介质 | 第112-114页 |
| ·源/漏离子注入激活与双阱工艺研究 | 第114-118页 |
| ·基于低温硅技术的应变硅MOS器件的测试与分析 | 第118-120页 |
| ·应变Si PMOSFET的制备 | 第118-119页 |
| ·应变Si PMOSFET性能测试与分析 | 第119-120页 |
| ·本章小结 | 第120-122页 |
| 第六章 结论与展望 | 第122-125页 |
| ·论文的主要工作与成果 | 第122-124页 |
| ·下一步工作 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-140页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第140-141页 |
