| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·功率集成电路的发展 | 第8-10页 |
| ·LDMOS 器件简介 | 第10-11页 |
| ·LDMOS 器件的研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 LDMOS 的研究 | 第13-26页 |
| ·LDMOS 器件的基本结构和特点 | 第13-14页 |
| ·LDMOS 的常用终端技术 | 第14-25页 |
| ·扩散保护环（Diffused Guard Ring） | 第15页 |
| ·场板及相关技术 | 第15-18页 |
| ·场限环（Field Limiting Ring） | 第18-20页 |
| ·RESURF 技术 | 第20-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 器件模拟及应用软件介绍 | 第26-39页 |
| ·器件模拟 | 第26-34页 |
| ·器件模拟概述 | 第26-27页 |
| ·器件模拟的基本原理 | 第27-28页 |
| ·器件模拟的作用 | 第28页 |
| ·器件模拟软件MEDICI 介绍 | 第28-34页 |
| ·工艺模拟 | 第34-37页 |
| ·工艺模拟的基本概念 | 第34-35页 |
| ·工艺模拟的基本内容 | 第35-36页 |
| ·工艺仿真软件TSUPREM-4 简介 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 对LDMOS 主要参数的设计和仿真结果分析 | 第39-54页 |
| ·研究方法 | 第39-40页 |
| ·LDMOS 器件的结构分析 | 第40-42页 |
| ·LDMOS 关键参数的设计和仿真 | 第42-51页 |
| ·漂移区的长度L_d 对器件耐压的影响 | 第43-44页 |
| ·场板长度和氧化层厚度对器件耐压的影响 | 第44-46页 |
| ·表面电荷效应对器件耐压的影响 | 第46页 |
| ·LDMOS 阈值电压的分析与仿真 | 第46-51页 |
| ·沟道长度L 的设计 | 第51页 |
| ·仿真和测试结果 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 LDMOS 器件的工艺设计和版图设计 | 第54-63页 |
| ·LDMOS 的工艺设计 | 第54-56页 |
| ·LDMOS 的工艺流程设计 | 第56-59页 |
| ·LDMOS 器件的版图设计 | 第59-62页 |
| ·LDMOS 元胞的设计 | 第60页 |
| ·LDMOS 器件版图的尖端耐压和版图布局设计 | 第60-61页 |
| ·LDMOS 的隔离设计 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 附录 | 第67-77页 |
