| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-22页 |
| ·研究背景和意义 | 第13-15页 |
| ·国内外研究动态 | 第15-18页 |
| ·国外研究进展 | 第15-17页 |
| ·国内研究现状 | 第17-18页 |
| ·目前存在的主要问题 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要工作和内容安排 | 第19-22页 |
| 第二章 GaN 基异质结材料的极化效应和应变分析 | 第22-53页 |
| ·GaN 异质结材料的极化效应与2DEG | 第22-28页 |
| ·GaN 异质结中极化效应的产生 | 第22-26页 |
| ·极化效应与2DEG 的物理模型 | 第26-28页 |
| ·异质外延生长GaN 的材料特性 | 第28-31页 |
| ·外延生长的衬底材料 | 第28-30页 |
| ·GaN 材料的厚度均匀性研究 | 第30-31页 |
| ·GaN 异质外延材料的应变研究 | 第31-48页 |
| ·X 射线布拉格衍射基本原理 | 第31-33页 |
| ·晶格参数的精确测量 | 第33-38页 |
| ·异质外延结构中的应变分析 | 第38-40页 |
| ·镶嵌结构GaN 外延膜的表征研究 | 第40-48页 |
| ·GaN 外延材料的形貌分析 | 第48-52页 |
| ·原子力显微镜测试技术 | 第48-49页 |
| ·AFM 研究GaN 外延材料形貌 | 第49-50页 |
| ·腐蚀后样品的SEM 分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 GaN 中Si 离子注入掺杂实验研究 | 第53-75页 |
| ·离子注入工艺 | 第53-57页 |
| ·离子注入技术特点 | 第53-56页 |
| ·GaN 的离子注入实验 | 第56-57页 |
| ·离子注入样品的晶体质量和应变分析 | 第57-63页 |
| ·位错密度和表面形貌分析 | 第63-67页 |
| ·注入前后的位错密度测量结果 | 第63-65页 |
| ·表面形貌分析 | 第65-67页 |
| ·注入及退火前后电学性能变化 | 第67-69页 |
| ·光致发光PL 谱分析结果 | 第69-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 金属与n-GaN 欧姆接触研究 | 第75-96页 |
| ·GaN 上欧姆接触研究概述 | 第75-77页 |
| ·GaN 上多层金属欧姆接触研究 | 第77-95页 |
| ·欧姆接触形成机制 | 第77-80页 |
| ·薄层材料欧姆接触测量方法 | 第80-83页 |
| ·GaN 上欧姆接触实验研究 | 第83-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌效应研究 | 第96-115页 |
| ·电流崩塌效应及虚栅模型 | 第96-101页 |
| ·栅宽10μm 的GaN HEMT 器件制作 | 第101-103页 |
| ·GaN HEMT 电流崩塌实验 | 第103-109页 |
| ·实验和测试方案 | 第103-105页 |
| ·栅极脉冲信号下电流崩塌现象 | 第105-108页 |
| ·漏极脉冲测试结果 | 第108-109页 |
| ·优化场板结构抑制器件电流崩塌 | 第109-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 第六章 微波功率GaN HEMT 器件制作与测试 | 第115-139页 |
| ·GaN HEMT 微波功率器件设计 | 第115-119页 |
| ·微波功率场效应器件设计考虑 | 第115-118页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件版图设计 | 第118-119页 |
| ·GaN HEMT 器件制作关键工艺流程 | 第119-121页 |
| ·蓝宝石上GaN HEMT 器件实现与测试 | 第121-130页 |
| ·无台面刻蚀的GaN HEMT 制作 | 第121-124页 |
| ·台面隔离的GaN HEMT 器件 | 第124-130页 |
| ·半绝缘SiC 衬底上AlGaN/GaN HEMT 器件 | 第130-137页 |
| ·栅宽100μm AlGaN/GaN HEMT 器件 | 第131-135页 |
| ·栅宽3mm 微波功率GaN HEMT 器件实现 | 第135-137页 |
| ·本章小结 | 第137-139页 |
| 第七章 结论与展望 | 第139-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-153页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第153-156页 |
