| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-33页 |
| ·高压SOI 器件技术概述 | 第17-21页 |
| ·SOI 横向高压器件的耐压技术发展 | 第21-30页 |
| ·耐压模型发展 | 第21-22页 |
| ·耐压技术发展 | 第22-30页 |
| ·本文的主要工作和创新点 | 第30-33页 |
| 第二章 SOI 横向高压器件介质场增强理论 | 第33-47页 |
| ·概述 | 第33-35页 |
| ·介质场增强理论 | 第35-38页 |
| ·基于介质场增强理论的三类技术 | 第38-45页 |
| ·采用具有可变高临界电场的薄硅层 | 第39页 |
| ·将低k 介质引入介质埋层 | 第39-43页 |
| ·在介质层界面引入电荷 | 第43-45页 |
| ·介质场增强理论的普适性 | 第45-46页 |
| ·介质场增强理论指导新器件结构的设计 | 第45-46页 |
| ·介质场理论对现有纵向耐压新结构进行理论概括和解释 | 第46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第三章 薄硅层临界电场理论与薄层SOI 高压器件 | 第47-70页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·硅临界电场阈值能量模型 | 第47-53页 |
| ·计及阈值能量的电离率 | 第47-49页 |
| ·硅临界击穿电场与其厚度定量关系 | 第49-51页 |
| ·物理机理 | 第51-53页 |
| ·硅临界电场与掺杂浓度的关系 | 第53-56页 |
| ·硅临界电场与电离率弛豫模型 | 第56-57页 |
| ·薄硅层SOI 高压器件 | 第57-62页 |
| ·SOI 高压器件介质场与顶层硅厚度关系 | 第58-60页 |
| ·SOI 高压器件纵向耐压与顶层硅及介质层厚度定量关系 | 第60-62页 |
| ·薄硅层SOI 高压器件高耐压的实现 | 第62-68页 |
| ·漂移区线性掺杂 | 第62-63页 |
| ·漂移区阶梯掺杂 | 第63-65页 |
| ·图形化的介质埋层 | 第65-68页 |
| ·临界电场模型的普适性 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第四章 基于ENDIF 的界面电荷岛型SOI 高压器件 | 第70-105页 |
| ·界面电荷岛SOI（CI SOI）高压器件 | 第70-79页 |
| ·CI SOI 结构与机理 | 第70-72页 |
| ·击穿电压与器件结构参数的关系 | 第72-78页 |
| ·基于SDB 技术的电荷岛SOI 高压器件的工艺实现 | 第78-79页 |
| ·界面电荷岛部分SOI（CI PSOI）高压器件 | 第79-88页 |
| ·CI PSOI 结构与界面电场模型 | 第80-82页 |
| ·击穿电压与结构参数的关系 | 第82-88页 |
| ·CI PSOI 高压器件材料制备 | 第88页 |
| ·ICI PSOI 高压器件 | 第88-96页 |
| ·ICI PSOI 结构与机理 | 第89-93页 |
| ·击穿电压与结构参数的关系 | 第93-95页 |
| ·ICI PSOI 高压器件材料制备 | 第95-96页 |
| ·基于ESIMOX 技术的大于200V 的CI SOI 器件 | 第96-99页 |
| ·击穿电压与结构参数的关系 | 第96-98页 |
| ·基于ESIMOX 技术的CI SOI 的材料制备 | 第98-99页 |
| ·具有双面界面电荷岛的SOI 高压器件 | 第99-103页 |
| ·小结 | 第103-105页 |
| 第五章 基于ENDIF 的复合介质埋层SOI 高压器件 | 第105-131页 |
| ·单窗口复合埋层SOI 高压器件 | 第105-113页 |
| ·器件结构与耐压机理 | 第105-108页 |
| ·击穿电压与器件结构参数的关系 | 第108-113页 |
| ·双窗口复合介质埋层SOI 高压器件 | 第113-116页 |
| ·复合介质埋层SOI 高压器件的研制 | 第116-129页 |
| ·实验方案 | 第116-126页 |
| ·实验结果 | 第126-129页 |
| ·小结 | 第129-131页 |
| 第六章 结论 | 第131-133页 |
| ·结论 | 第131-132页 |
| ·下一步工作 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-146页 |
| 个人简历 | 第146页 |
| 科研情况 | 第146页 |
| 发表学术论文 | 第146-148页 |
| 专利及科技成果鉴定 | 第148页 |
| 获奖情况 | 第148-149页 |
