| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯的制备方法 | 第10-12页 |
| 1.2.1 物理法 | 第10-11页 |
| 1.2.2 化学法 | 第11-12页 |
| 1.3 生物传感器在国内外的研究进展及现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 石墨烯电学生物传感器 | 第12-14页 |
| 1.3.2 光学石墨烯生物传感器 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的立题背景、研究目标和内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 立题背景 | 第15页 |
| 1.4.2 研究目标及内容 | 第15-17页 |
| 第二章 基于CVD石墨烯的场效应管传感器及其ATP检测 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 材料和方法 | 第18-20页 |
| 2.2.1 材料和化学试剂 | 第18页 |
| 2.2.2 通过CVD方法制备并转移石墨烯 | 第18-19页 |
| 2.2.3 FET的制造和表征 | 第19页 |
| 2.2.4 FET的检测系统 | 第19-20页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第20-24页 |
| 2.3.1 石墨烯FET的表征 | 第20-21页 |
| 2.3.2 石墨烯和ITO电极之间的接触电阻 | 第21-22页 |
| 2.3.3 导电沟道宽度的影响 | 第22页 |
| 2.3.4 栅极和石墨烯之间距离的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.5 GFET中ATP检测应用研究 | 第23-24页 |
| 2.4 结论 | 第24-27页 |
| 第三章 基于CVD石墨烯双重检测系统及其p H检测应用研究 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 实验 | 第28-30页 |
| 3.2.1 材料和仪器 | 第28页 |
| 3.2.2 石墨烯FET的制备 | 第28-29页 |
| 3.2.3 GFET检测系统 | 第29-30页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第30-33页 |
| 3.3.1 石墨烯的表征 | 第30页 |
| 3.3.2 DGFET的光特性 | 第30-31页 |
| 3.3.3 DGFET的电特性 | 第31页 |
| 3.3.4 DGFET的pH值检测应用研究 | 第31-33页 |
| 3.4 结论 | 第33-35页 |
| 第四章 总结与展望 | 第35-37页 |
| 4.1 总结 | 第35-36页 |
| 4.2 展望 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-43页 |
| 研究生期间完成的论文 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45页 |