| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第17-19页 |
| 1.2 高K/GaAs MOS界面特性研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3 论文结构及安排 | 第20-23页 |
| 第二章 高K/GaAs MOS仿真模型 | 第23-37页 |
| 2.1 金属栅/高K/GaAs结构中的电荷分布 | 第23-25页 |
| 2.2 Sentaurus TCAD简介 | 第25-26页 |
| 2.3 器件物理模型 | 第26-35页 |
| 2.3.1 陷阱模型 | 第26-27页 |
| 2.3.2 迁移率模型 | 第27-30页 |
| 2.3.3 产生复合模型 | 第30-31页 |
| 2.3.4 量子模型 | 第31-34页 |
| 2.3.5 GaAs能带模型 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小节 | 第35-37页 |
| 第三章 高K/GaAs MOS电容特性仿真 | 第37-53页 |
| 3.1 金属栅/高K/GaAs MOS理想C-V仿真 | 第37-39页 |
| 3.2 界面陷阱对栅电容的影响仿真 | 第39-45页 |
| 3.2.1 界面陷阱概述 | 第39-41页 |
| 3.2.2 不同界面陷阱密度仿真 | 第41-42页 |
| 3.2.3 禁带中不同位置的界面陷阱仿真 | 第42-45页 |
| 3.3 界面陷阱的频散效应 | 第45-48页 |
| 3.4 仿真与实验结果对比 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 高K/GaAs MOS器件特性仿真 | 第53-65页 |
| 4.1 高K/GaAs MOSFET短沟道效应 | 第53-55页 |
| 4.2 界面陷阱对电学特性的影响仿真 | 第55-60页 |
| 4.2.1 界面陷阱对阈值电压的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.2 界面陷阱对迁移率的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.3 界面陷阱对跨导的影响 | 第59-60页 |
| 4.3 界面陷阱对GaAs和In_(0.53)Ga_(0.47)As MOSFET影响对比 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |