| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 第三代半导体材料的发展 | 第15-17页 |
| 1.2 GaN基微波器件方面的进展 | 第17-18页 |
| 1.3 GaN在发光器件方面的进展 | 第18-19页 |
| 1.4 InAlGaN材料的发展及研究意义 | 第19-22页 |
| 1.4.1 InAlGaN材料研究意义 | 第19-20页 |
| 1.4.2 InAlGaN材料的发展历程 | 第20-22页 |
| 1.5 本文的研究内容与结构安排 | 第22-25页 |
| 第二章 InAlGaN四元合金生长表征和基本理论 | 第25-39页 |
| 2.1 MOCVD方法简介 | 第25-27页 |
| 2.2 PMOCVD简介 | 第27-28页 |
| 2.3 本文所涉及到的材料测试和表征手段 | 第28-33页 |
| 2.3.1 X射线衍射技术（XRD） | 第28-29页 |
| 2.3.2 拉曼散射 | 第29-30页 |
| 2.3.3 其他测试手段 | 第30-33页 |
| 2.4 InAlGaN四元合金的极化理论 | 第33-34页 |
| 2.5 InAlGaN/GaN的匹配理论 | 第34-36页 |
| 2.6 三种匹配条件下的组分配比关系的确定 | 第36-38页 |
| 2.6.1 InAlGa N/GaN的晶格匹配 | 第36-37页 |
| 2.6.2 InAlGaN/GaN的极化匹配 | 第37页 |
| 2.6.3 InAlGaN/GaN的能带匹配 | 第37-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 InAlGaN四元合金的生长 | 第39-55页 |
| 3.1 前言 | 第39-40页 |
| 3.2 InAlGaN生长 | 第40-47页 |
| 3.2.1 InAlGaN四元合金的XRD表征 | 第41-42页 |
| 3.2.2 InAlGaN四元合金的厚度测量 | 第42-43页 |
| 3.2.3 InAlGaN的PL谱和AFM分析 | 第43-44页 |
| 3.2.4 材料的XPS的研究 | 第44-47页 |
| 3.3 改变Al、In组分对InAlGaN薄膜特性的影响 | 第47-52页 |
| 3.3.1 实验设置 | 第47页 |
| 3.3.2 变组分样品的XRD研究 | 第47-49页 |
| 3.3.3 变组分样品的表面形貌研究 | 第49-50页 |
| 3.3.4 变组分样品的PL谱研究 | 第50-52页 |
| 3.4 PMOCVD对InAlGaN四元合金的生长 | 第52-54页 |
| 3.4.1 PMOCVD介绍 | 第52-53页 |
| 3.4.2 PMOCVD下InAlGaN样品的表面形貌研究 | 第53-54页 |
| 3.4.4 PMOCVD下InAlGaN的PL谱研究 | 第54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 InAlGaN复合势垒异质结构的设计和生长 | 第55-71页 |
| 4.1 前言 | 第55-56页 |
| 4.2 复合势垒层的结构设计思想 | 第56-57页 |
| 4.2.1 结构设计 | 第56-57页 |
| 4.2.2 一点讨论 | 第57页 |
| 4.3 InAlGaN/AlGaN/GaN复合势垒层异质结的生长 | 第57-63页 |
| 4.3.1 采用复合势垒层样品的XRD、AFM分析。 | 第58-62页 |
| 4.3.2 位错对发光特性的影响（PL） | 第62页 |
| 4.3.3 复合势垒下样品CV特性曲线研究 | 第62-63页 |
| 4.4 AlGaN插入势垒层厚度对复合势垒异质结特性影响 | 第63-69页 |
| 4.4.1 不同厚度AlGaN插入层的异质结在XRD下的分析 | 第63-66页 |
| 4.4.2 Raman测试下的三种复合势垒样品分析 | 第66-68页 |
| 4.4.3 AlGaN插入势垒层厚度对异质结电学特性影响 | 第68-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 结束语 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
