| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 碳化硅功率器件建模研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.1 碳化硅BJT建模研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 碳化硅MOSFET建模研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第2章 碳化硅BJT非线性建模 | 第13-27页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 碳化硅BJT工作机理 | 第13-16页 |
| 2.2.1 物理结构 | 第13-14页 |
| 2.2.2 特性分析 | 第14-16页 |
| 2.3 基于Haar小波法的碳化硅BJT物理建模 | 第16-22页 |
| 2.3.1 ADE的Haar小波法求解 | 第17-18页 |
| 2.3.2 漂移区 | 第18-20页 |
| 2.3.3 发射区 | 第20页 |
| 2.3.4 基区 | 第20-22页 |
| 2.3.5 集电区 | 第22页 |
| 2.4 碳化硅BJT模型仿真分析 | 第22-26页 |
| 2.4.1 模型验证 | 第23-24页 |
| 2.4.2 对比分析 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 碳化硅MOSFET非线性建模 | 第27-44页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 碳化硅MOSFET工作机理 | 第27-34页 |
| 3.2.1 物理结构 | 第27-28页 |
| 3.2.2 特性分析 | 第28-31页 |
| 3.2.3 碳化硅MOSFET性能参数的温度相关性 | 第31-34页 |
| 3.3 基于温度负反馈的碳化硅MOSFET电热耦合模型建模 | 第34-39页 |
| 3.3.1 碳化硅MOSFET模型 | 第35-36页 |
| 3.3.2 功率损耗模块 | 第36-38页 |
| 3.3.3 热网络模块 | 第38-39页 |
| 3.4 碳化硅MOSFET模型仿真分析 | 第39-43页 |
| 3.4.1 模型验证 | 第40-42页 |
| 3.4.2 结温分析 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 碳化硅MOSFET在E类逆变器中的应用 | 第44-58页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 E类逆变器的设计 | 第44-46页 |
| 4.2.1 E类逆变器基本拓扑 | 第44页 |
| 4.2.2 E类逆变器工作原理 | 第44-46页 |
| 4.2.3 E类逆变器的参数设计 | 第46页 |
| 4.3 驱动电路 | 第46-52页 |
| 4.3.1 驱动芯片选择 | 第46-47页 |
| 4.3.2 驱动电路设计 | 第47-48页 |
| 4.3.3 驱动电路测试 | 第48-52页 |
| 4.4 E类逆变器仿真与实验 | 第52-57页 |
| 4.4.1 仿真验证 | 第52-53页 |
| 4.4.2 实验验证 | 第53-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第64页 |
