| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 论文的背景及意义 | 第8-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 研究内容与主要目标 | 第15-16页 |
| 1.4 论文组织 | 第16-18页 |
| 第二章 SiC基VDMOS器件工作原理及UIS应力退化研究方法 | 第18-34页 |
| 2.1 SiC基VDMOS器件基本结构及工作原理 | 第18-28页 |
| 2.2 SiC基VDMOS器件UIS应力退化研究方法 | 第28-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 SiC基VDMOS器件UIS应力退化研究 | 第34-56页 |
| 3.1 SiC基VDMOS器件UIS应力退化机理 | 第34-43页 |
| 3.2 结温对SiC基VDMOS器件UIS应力退化的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 UIS应力峰值电流对SiC基VDMOS器件退化的影响 | 第45-46页 |
| 3.4 UIS电路参数对SiC基VDMOS器件退化的影响 | 第46-49页 |
| 3.5 高UIS应力可靠性SiC基VDMOS器件研究 | 第49-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-56页 |
| 第四章 SiC基VDMOS器件UIS应力寿命模型研究 | 第56-66页 |
| 4.1 SiC基VDMOS器件UIS应力寿命建模方案 | 第56-60页 |
| 4.2 SiC基VDMOS器件UIS应力寿命模型参数提取 | 第60-64页 |
| 4.3 SiC基VDMOS器件UIS应力寿命模型验证 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结及展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 硕士期间取得成果 | 第74页 |
