| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 功率半导体器件 | 第16-18页 |
| 1.2 SJ-LDOMS功率器件 | 第18-26页 |
| 1.3 ISE TCAD 10.0 | 第26页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 DNU SJ-LDMOS | 第28-38页 |
| 2.1 非平衡SJ-LDMOS | 第28-29页 |
| 2.2 DNU SJ-LDMOS电学特性分析 | 第29-32页 |
| 2.2.1 导通特性 | 第29-31页 |
| 2.2.2 阻断特性 | 第31-32页 |
| 2.3 DNU SJ-LDMOS优化 | 第32-37页 |
| 2.3.1 N2区掺杂浓度 | 第32-34页 |
| 2.3.2 N2区位置 | 第34-36页 |
| 2.3.3 分区个数 | 第36-37页 |
| 2.3.4 衬底浓度 | 第37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 NBB SJ-LDMOS | 第38-50页 |
| 3.1 NBB SJ-LDMOS介绍 | 第38-39页 |
| 3.2 NBB SJ-LDMOS电学特性分析 | 第39-44页 |
| 3.2.1 导通特性 | 第40-42页 |
| 3.2.2 阻断特性 | 第42-44页 |
| 3.3 NBB SJ-LDMOS优化 | 第44-49页 |
| 3.3.1 N型埋层浓度 | 第44-46页 |
| 3.3.2 N型埋层厚度 | 第46-48页 |
| 3.3.3 N型埋层长度 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小节 | 第49-50页 |
| 第四章 DNU SJ-LDMOS和NBB SJ-LDMOS工艺 | 第50-64页 |
| 4.1 BCD工艺和传统SJ-LDMOS工艺 | 第50-59页 |
| 4.1.1 BCD工艺 | 第50-52页 |
| 4.1.2 SJ-LDMOS工艺 | 第52-59页 |
| 4.2 DNU SJ-LDMOS工艺 | 第59-61页 |
| 4.3 NBB SJ-LDMOS工艺 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小节 | 第62-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| 5.1 结论 | 第64页 |
| 5.2 展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者简介 | 第72-74页 |