| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 MOSFET电势模型的研究概况 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第2章 伯克利短沟阈值电压模型和电压-掺杂转换模型 | 第14-23页 |
| 2.1 伯克利短沟阈值电压模型 | 第14-18页 |
| 2.2 电压-掺杂转换模型 | 第18-22页 |
| 2.2.1 电压与掺杂浓度的转换 | 第18-20页 |
| 2.2.2 耗尽层厚度的计算 | 第20-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 MOSFET二维电势模型 | 第23-32页 |
| 3.1 二维单区电势模型 | 第24-26页 |
| 3.2 二维双区电势模型 | 第26-29页 |
| 3.3 伯克利短沟阈值电压模型的二维拓展 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 MOSFET模型的精准性比较 | 第32-44页 |
| 4.1 特征函数展开项数的影响 | 第32-33页 |
| 4.2 平均误差 | 第33-34页 |
| 4.3 单区和双区电势模型的比较 | 第34-37页 |
| 4.3.1 源漏边界条件的偏差分析 | 第34-36页 |
| 4.3.2 SCE与DIBL效应下阈值电压的计算 | 第36-37页 |
| 4.4 模型精确度的比较与分析 | 第37-43页 |
| 4.4.1 模型误差的比较 | 第37-40页 |
| 4.4.2 基于亚阈值斜率的模型比较 | 第40-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 BSIM模型参数的提取转换 | 第44-53页 |
| 5.1 BSIM模型的发展及特点 | 第44-45页 |
| 5.2 基因算法的应用 | 第45-48页 |
| 5.3 参数的提取转换 | 第48-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第6章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 结论 | 第53页 |
| 6.2 展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |