| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展 | 第16-17页 |
| 1.2 课题研究背景与意义 | 第17-18页 |
| 1.3 硅基器件仿真软件的简单介绍 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第二章 具有低介电系数沟槽新型硅基LDMOS结构 | 第22-40页 |
| 2.1 横向双扩散MOS功率器件简介 | 第22-23页 |
| 2.2 优化LDMOS的几种终端技术 | 第23-30页 |
| 2.2.1 传统终端技术 | 第23-26页 |
| 2.2.2 基于SOI的终端技术 | 第26-28页 |
| 2.2.3 基于刻蚀工艺的终端技术 | 第28-30页 |
| 2.3 LDT-LDMOS器件结构及工作原理 | 第30-32页 |
| 2.4 LDT-LDMOS结构仿真结果与分析 | 第32-38页 |
| 2.4.1 LDMOS和LDT-LDMOS的对比 | 第32-34页 |
| 2.4.2 LDT-LDMOS器件参数的影响 | 第34-38页 |
| 2.4.3 与其他结构的比较 | 第38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 具有N型覆盖层新型SJ-LDMOS器件结构 | 第40-56页 |
| 3.1 超结功率MOS器件简介 | 第40-42页 |
| 3.2 国内外优化超结横向功率MOS器件的方法 | 第42-47页 |
| 3.2.1 非平衡超结 | 第42-43页 |
| 3.2.2 衬底改变的超结 | 第43-44页 |
| 3.2.3 超结RESURF | 第44-45页 |
| 3.2.4 缓冲层超结 | 第45-46页 |
| 3.2.5 覆盖层超结 | 第46-47页 |
| 3.3 N Covered SJ-LDMOS器件的结构及其工作原理 | 第47-49页 |
| 3.4 N covered LDMOS器件仿真结果与分析 | 第49-55页 |
| 3.4.1 三种结构的对比 | 第49-52页 |
| 3.4.2 器件参数的影响 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 新型LDMOS器件的工艺实现 | 第56-64页 |
| 4.1 BCD工艺简要介绍 | 第56页 |
| 4.2 LDT-LDMOS的工艺实现流程 | 第56-59页 |
| 4.3 N Covered SJ-LDMOS的工艺实现流程 | 第59-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结束语 | 第64-66页 |
| 5.1 工作总结 | 第64-65页 |
| 5.2 研究展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-73页 |
