| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第18-19页 |
| 1.2 硅基功率器件仿真软件和理论物理模型 | 第19-20页 |
| 1.2.1 ISE-TCAD简介 | 第19页 |
| 1.2.2 硅基功率器件仿真的物理模型和求解方法 | 第19-20页 |
| 1.3 论文主要工作 | 第20-23页 |
| 第二章 阶梯状场氧化层折叠硅新型LDMOS器件 | 第23-43页 |
| 2.1 横向双扩散MOS功率器件结构和工作原理 | 第23-24页 |
| 2.2 横向双扩散MOS功率器件优化方法 | 第24-32页 |
| 2.2.1 半导体功率器件击穿电压优化方法 | 第24-29页 |
| 2.2.2 半导体功率器件比导通电阻优化方法 | 第29-32页 |
| 2.3 阶梯状场氧化层折叠硅新型LDMOS结构和工作原理 | 第32-33页 |
| 2.4 新型SOFLDMOS器件性能分析 | 第33-38页 |
| 2.4.1 新型SOFLDMOS器件传输特性 | 第33-34页 |
| 2.4.2 阶梯位置对新型SOFLDMOS器件的影响 | 第34-35页 |
| 2.4.3 阶梯数量对新型SOFLDMOS器件击穿电压的影响 | 第35-36页 |
| 2.4.4 阶梯状场氧化层厚度对新型SOFLDMOS器件表面电场的影响 | 第36-37页 |
| 2.4.5 沟槽宽深比对新型SOFLDMOS器件比导通电阻和击穿电压的影响 | 第37-38页 |
| 2.5 新型SOFLDMOS器件与传统器件性能比较 | 第38-42页 |
| 2.5.1 新型SOFLDMOS器件与FALDMOS结构击穿电压比较 | 第38-39页 |
| 2.5.2 新型SOFLDMOS器件与传统LDMOS结构比导通电阻比较 | 第39-41页 |
| 2.5.3 新型SOFLDMOS器件与传统LDMOS结构综合性能分析 | 第41-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 具有P型覆盖层新型SJ-LDMOS器件 | 第43-57页 |
| 3.1 传统超级结横向双扩散MOS功率器件结构和工作原理 | 第43-45页 |
| 3.1.1 超级结结构的提出 | 第43-44页 |
| 3.1.2 横向超级结结构（SJ-LDMOS） | 第44-45页 |
| 3.2 SJ-LDMOS优化方法 | 第45-48页 |
| 3.2.1 衬底绝缘技术 | 第45-46页 |
| 3.2.2 埋氧层电场增强技术 | 第46-47页 |
| 3.2.3 电荷补偿技术 | 第47-48页 |
| 3.3 具有P型覆盖层新型SJ-LDMOS器件结构和工作原理 | 第48-49页 |
| 3.4 新型P covered SJ-LDMOS器件性能分析 | 第49-52页 |
| 3.4.1 新型P covered SJ-LDMOS器件传输特性 | 第49-50页 |
| 3.4.2 N型缓冲层厚度对新型P covered SJ-LDMOS器件性能影响 | 第50-51页 |
| 3.4.3 N型缓冲层浓度对新型P covered SJ-LDMOS器件性能影响 | 第51-52页 |
| 3.5 新型P covered SJ-LDMOS器件与传统SJ-LDMOS结构性能比较 | 第52-56页 |
| 3.5.1 新型P covered SJ-LDMOS器件与传统SJ-LDMOS结构击穿电压比较 | 第52-53页 |
| 3.5.2 新型P covered SJ-LDMOS器件与传统SJ-LDMOS器件结构比导通电阻比较 | 第53-55页 |
| 3.5.3 新型P covered SJ-LDMOS器件与传统SJ-LDMOS结构综合性能分析 | 第55-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 新型半导体功率器件工艺实现 | 第57-67页 |
| 4.1 阶梯状场氧化层折叠硅新型LDMOS结构工艺流程设计 | 第57-61页 |
| 4.2 具有P型覆盖层新型SJ-LDMOS结构工艺流程设计 | 第61-66页 |
| 4.3 本章总结 | 第66-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-69页 |
| 5.1 工作总结 | 第67-68页 |
| 5.2 研究展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-77页 |
