| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 铁电体及铁电薄膜 | 第9-14页 |
| 1.1.1 铁电体 | 第9-12页 |
| 1.1.2 铁电薄膜 | 第12-14页 |
| 1.2 铁电薄膜存储器 | 第14-20页 |
| 1.2.1 非易失性存储器 | 第14-16页 |
| 1.2.2 铁电薄膜存储器的基本结构及工作原理 | 第16-19页 |
| 1.2.3 铁电薄膜存储器的应用前景 | 第19-20页 |
| 1.3 铁电场效应晶体管 | 第20-23页 |
| 1.3.1 铁电场效应晶体管的基本结构 | 第20-22页 |
| 1.3.2 铁电场效应晶体管的工作原理 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文选题依据及主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 锆钛比对负电容PZT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第25-34页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 铁电薄膜负电容 | 第26-27页 |
| 2.3 PZT-DG-NC-FET物理模型的建立 | 第27-30页 |
| 2.4 锆钛比对PZT-DG-NC-FET电学性能的影响 | 第30-32页 |
| 2.4.1 锆钛比对硅表面势的影响 | 第30页 |
| 2.4.2 锆钛比对栅电容的影响 | 第30页 |
| 2.4.3 锆钛比对转移特性的影响 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 铁电层厚度对负电容PZT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第34-39页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 铁电层厚度对PZT-DG-NC-FET电学性能的影响 | 第34-38页 |
| 3.2.1 铁电层厚度对硅表面势的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.2 铁电层厚度对栅电容的影响 | 第36页 |
| 3.2.3 铁电层厚度对转移特性的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 绝缘层厚度对负电容PZT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第39-44页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 绝缘层厚度对PZT-DG-NC-FET电学性能的影响 | 第39-43页 |
| 4.2.1 绝缘层厚度对硅表面势的影响 | 第39-41页 |
| 4.2.2 绝缘层厚度对栅电容的影响 | 第41页 |
| 4.2.3 绝缘层厚度对转移特性的影响 | 第41-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 半导体硅厚度对负电容PZT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第44-49页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 半导体硅厚度对PZT-DG-NC-FET电学性能的影响 | 第44-48页 |
| 5.2.1 半导体硅厚度对硅表面势的影响 | 第44-45页 |
| 5.2.2 半导体硅厚度对栅电容的影响 | 第45-46页 |
| 5.2.3 半导体硅厚度对转移特性的影响 | 第46-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第6章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 6.1 工作总结 | 第49页 |
| 6.2 工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第58页 |
