| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMT研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 透明柵AlGaN/GaN HEMT的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3 本文的主要内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 透明柵AlGaN/GaN HEMT基本理论及其制备 | 第22-36页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第22-24页 |
| 2.2 肖特基接触基本理论 | 第24-31页 |
| 2.2.1 金半接触的基本理论 | 第25-29页 |
| 2.2.2 肖特基参数的I-V测试提取和表征方法 | 第29-31页 |
| 2.3 透明柵AlGaN/GaN HEMT的制备 | 第31-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 透明柵AlGaN/GaN HEMT的测试及其特性研究 | 第36-52页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT器件特性系统简介 | 第36-37页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件基本特性分析 | 第37-42页 |
| 3.2.1 AlGaN/GaN HEMT直流特性分析 | 第37-40页 |
| 3.2.2 AlGaN/GaN HEMT交流特性分析 | 第40-42页 |
| 3.3 AlGaN/GaN HEMT沟道界面态的表征及测试结果分析 | 第42-49页 |
| 3.3.1 变频电导法测试缺陷的基本原理介绍 | 第43-45页 |
| 3.3.2 基于AlGaN/GaN HEMT电导法的等效电路模型修正 | 第45-47页 |
| 3.3.3 测试结果分析 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第四章 透明柵AlGaN/GaN HEMT退火特性研究 | 第52-62页 |
| 4.1 退火对栅电极的透明度的影响 | 第52-53页 |
| 4.2 器件退火前后基本特性的对比分析 | 第53-57页 |
| 4.3 器件退火前后界面特性研究 | 第57-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 光照对透明柵AlGaN/GaN HEMT的影响 | 第62-72页 |
| 5.1 光照对透明柵AlGaN/GaN HEMT直流特性的影响 | 第62-64页 |
| 5.2 光照前后透明柵AlGaN/GaN HEMT界面特性分析 | 第64-67页 |
| 5.3 光照对短期应力下透明柵AlGaN/GaN HEMT的影响 | 第67-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结束语 | 第72-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
