| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 石墨烯及类石墨烯二维材料 | 第10-11页 |
| 1.2 硫化钨的基本物理性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 硫化钨的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 硫化钨的电子结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 硫化钨的光学特性 | 第13-14页 |
| 1.3 硫化钨的制备方法及现状 | 第14-19页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 液相超声法 | 第16页 |
| 1.3.3 锂离子插层法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 水热法 | 第17页 |
| 1.3.5 化学气相沉积法 | 第17-19页 |
| 1.4 三元合金硫化钼钨 | 第19-21页 |
| 1.4.1 硫化钼钨结构与性质 | 第19-20页 |
| 1.4.2 硫化钼钨的制备方法及现状 | 第20-21页 |
| 1.5 场效应晶体管的结构、原理和基本参数 | 第21-26页 |
| 1.5.1 场效应晶体管的基本结构 | 第21页 |
| 1.5.2 场效应晶体管的工作原理 | 第21-22页 |
| 1.5.3 场效应晶体管的主要参数 | 第22-24页 |
| 1.5.4 基与硫化钨及其合金场效应晶体管的发展现状 | 第24-26页 |
| 1.6 论文的选题依据和主要研究内容 | 第26-28页 |
| 1.6.1 选题依据 | 第26页 |
| 1.6.2 主要内容 | 第26-28页 |
| 第2章 实验材料、设备及表征技术 | 第28-34页 |
| 2.1 实验材料和设备 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第28页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第28-29页 |
| 2.2 表征技术 | 第29-34页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.3 能谱仪 | 第31-32页 |
| 2.2.4 拉曼光谱 | 第32页 |
| 2.2.5 光致发光谱 | 第32-34页 |
| 第3章 硫化钨二维材料制备及表征 | 第34-46页 |
| 3.1 硫化钨二维材料制备工艺 | 第34-35页 |
| 3.2 生长条件对硫化钨制备的影响 | 第35-38页 |
| 3.2.1 沉积温度对制备硫化钨影响 | 第35-36页 |
| 3.2.2 氩气流速对制备硫化钨影响 | 第36-37页 |
| 3.2.3 反应时间对制备硫化钨影响 | 第37-38页 |
| 3.2.4 硫、钨源质量对制备硫化钨影响 | 第38页 |
| 3.3 单层硫化钨的表征 | 第38-41页 |
| 3.4 单层硫化钨的低温光学特性 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 三元合金硫化钼钨制备及光学特性 | 第46-56页 |
| 4.1 实验制备 | 第46-47页 |
| 4.2 硫化钼钨拉曼光谱研究 | 第47-50页 |
| 4.3 硫化钼钨光致发光谱与组分计算 | 第50-53页 |
| 4.4 硫化钼钨的热稳定性研究 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 基于单层硫化钼钨场效应晶体管的性能研究 | 第56-64页 |
| 5.1 单层硫化钼钨场效应晶体管的制备 | 第56-59页 |
| 5.1.1 单层硫化钼钨的转移 | 第56-58页 |
| 5.1.2 背栅极单层硫化钼钨场效应晶体管的制备 | 第58-59页 |
| 5.2 单层硫化钼钨场效应晶体管的性能研究 | 第59-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第6章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 结论 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目与研究成果 | 第73页 |