| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 单粒子效应研究过程 | 第16-17页 |
| 1.2 目前研究状况以及未来发展 | 第17-19页 |
| 1.3 论文的结构和研究的内容 | 第19-22页 |
| 第二章 辐射环境介绍和单粒子效应介绍 | 第22-38页 |
| 2.1 辐射环境的介绍 | 第22-25页 |
| 2.1.1 太空辐射环境的介绍 | 第22-23页 |
| 2.1.2 大气的辐射环境介绍 | 第23-24页 |
| 2.1.3 地面辐射环境的介绍 | 第24-25页 |
| 2.1.4 核辐射环境的介绍 | 第25页 |
| 2.2 单粒子效应的分类介绍 | 第25-29页 |
| 2.3 单粒子翻转效应原理 | 第29-31页 |
| 2.3.1 电离辐射模式介绍 | 第30页 |
| 2.3.2 单粒子效应模型的介绍 | 第30-31页 |
| 2.4 单粒子辐射效应电流模型及其翻转判定 | 第31-33页 |
| 2.4.1 单粒子效应的电流模型 | 第31-32页 |
| 2.4.2 器件单粒子翻转的判定依据 | 第32-33页 |
| 2.5 6管SRAM的翻转机理 | 第33-36页 |
| 2.5.1 6管SRAM工作原理 | 第33-35页 |
| 2.5.2 6T SRAM的单粒子翻转效应机理分析 | 第35-36页 |
| 2.6 本章结论 | 第36-38页 |
| 第三章 FinFET器件单粒子效应的仿真 | 第38-54页 |
| 3.1 介绍 | 第38页 |
| 3.2 FinFET器件单粒子效应模型 | 第38-42页 |
| 3.3 Sentaurus TCAD软件模拟方法介绍 | 第42-46页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第46-52页 |
| 3.5 本章结论 | 第52-54页 |
| 第四章 SRAM单元SEU效应及其加固 | 第54-70页 |
| 4.1 BSIM-CMG模型的介绍 | 第54-59页 |
| 4.2 基于FinFET和MOSFET的SRAM优缺点的分析 | 第59-60页 |
| 4.3 基于FinFET SRAM单元抗SEU加固设计 | 第60-69页 |
| 4.3.1 理论分析 | 第60-61页 |
| 4.3.2 仿真结果的分析 | 第61-69页 |
| 4.4 结论 | 第69-70页 |
| 第五章 总结和展望 | 第70-72页 |
| 5.1 工作总结 | 第70页 |
| 5.2 论文存在的不足及课题展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
