| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 有机场效应晶体管发展慨括 | 第10-11页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的器件结构及工作原理 | 第11-13页 |
| 1.4 有机场效应晶体管的性能表征和制备技术 | 第13-14页 |
| 1.5 有机半导体材料 | 第14-23页 |
| 1.5.1 p-型小分子材料 | 第15-18页 |
| 1.5.2 n-型小分子材料 | 第18-20页 |
| 1.5.3 p-型聚合物材料 | 第20-21页 |
| 1.5.4 n-型聚合物材料 | 第21-22页 |
| 1.5.5 双极型半导体材料 | 第22-23页 |
| 1.6 本论文选题依据及设计思想 | 第23-25页 |
| 第二章 新型A-D-A类窄带隙小分子材料的设计合成及场效应晶体管性能研究 | 第25-40页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第26-38页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第26-27页 |
| 2.2.2 测试仪器及条件 | 第27页 |
| 2.2.3 材料的合成与结构表征 | 第27-34页 |
| 2.2.4 化合物的紫外可见光谱分析 | 第34-35页 |
| 2.2.5 化合物的电化学分析 | 第35-36页 |
| 2.2.6 化合物的热力学性质的测试 | 第36-37页 |
| 2.2.7 化合物的OFET性能测试 | 第37-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 窄带隙苯并二噻吩醌式材料合成及场效应晶体管性能研究 | 第40-50页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第41-49页 |
| 3.2.1 材料的合成与结构表征 | 第41-45页 |
| 3.2.2 化合物的紫外可见光谱分析 | 第45-46页 |
| 3.2.3 化合物的电化学分析 | 第46-47页 |
| 3.2.4 化合物的热力学性质的测试 | 第47-48页 |
| 3.2.5 化合物的场效应晶体管性能测试 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基于连二（噻吩酰亚胺）高分子半导体材料的合成及场效应晶体管性能表征研究 | 第50-67页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第51-66页 |
| 4.2.1 材料的合成与结构表征 | 第51-61页 |
| 4.2.2 聚合物的基本性质和热力学性能分析 | 第61-62页 |
| 4.2.3 聚合物的紫外-可见吸收分析 | 第62页 |
| 4.2.4 聚合物的电化学分析 | 第62-64页 |
| 4.2.5 化合物的场效应晶体管性能测试 | 第64-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 结论 | 第67-68页 |
| 5.2 工作展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附录A （攻读学位期间发表论文目录） | 第80-81页 |
| 附录B 部分化合物的附图 | 第81-119页 |
