硫化钼二维材料的制备、光学性质及其器件性能研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 二维材料的历史及机遇 | 第10-11页 |
| 1.2 硫化钼的物理特性 | 第11页 |
| 1.3 硫化钼的晶体结构及能带 | 第11-15页 |
| 1.3.1 硫化钼的拉曼特性 | 第12-14页 |
| 1.3.2 硫化钼的光学特性 | 第14-15页 |
| 1.4 硫化钼的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.4.1 微机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.4.2 液相超声法 | 第16页 |
| 1.4.3 锂离子插层法 | 第16-17页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| 1.5 硫化钼的应用 | 第18-19页 |
| 1.5.1 固态润滑剂 | 第18页 |
| 1.5.2 催化吸附剂 | 第18页 |
| 1.5.3 场效应晶体管 | 第18-19页 |
| 1.5.4 光探测器 | 第19页 |
| 1.5.5 锂离子电池 | 第19页 |
| 1.6 硫化钼场效应晶体管的研究 | 第19-24页 |
| 1.6.1 源漏电极与硫化钼电学接触 | 第20-21页 |
| 1.6.2 硫化钼载流子传输及散射机制 | 第21-23页 |
| 1.6.3 硫化钼场效应晶体管的发展 | 第23-24页 |
| 1.7 本论文的选题意义与研究内容 | 第24-26页 |
| 1.7.1 论文课题的提出 | 第24页 |
| 1.7.2 论文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 实验部分 | 第26-32页 |
| 2.1 实验药品 | 第26-27页 |
| 2.2 化学气相沉积法制备系统 | 第27-28页 |
| 2.3 二维材料表征仪器 | 第28-30页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第28页 |
| 2.3.2 拉曼光谱仪 | 第28-29页 |
| 2.3.3 光致发光 | 第29页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 | 第30页 |
| 2.4 场效应晶体管的制备 | 第30-31页 |
| 2.4.1 电子束光刻系统 | 第30页 |
| 2.4.2 热蒸发镀膜机 | 第30-31页 |
| 2.5 器件的测量 | 第31-32页 |
| 第3章 不同厚度硫化钼二维材料的制备 | 第32-48页 |
| 3.1 化学气相沉积法制备硫化钼 | 第32-33页 |
| 3.2 单层硫化钼的可控生长 | 第33-38页 |
| 3.2.1 生长条件对单层硫化钼制备的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.2 单层硫化钼的表征 | 第37-38页 |
| 3.3 多层硫化钼的可控生长 | 第38-46页 |
| 3.3.1 生长条件对多层硫化钼制备的影响 | 第38-45页 |
| 3.3.2 多层硫化钼的表征 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 硫化钼的光致发光性质及拉曼光谱研究 | 第48-58页 |
| 4.1 室温下不同层数硫化钼的光致发光性质研究 | 第48-49页 |
| 4.2 低温下单层硫化钼的光致发光性质研究 | 第49-53页 |
| 4.2.1 单层硫化钼的激子性能 | 第49-51页 |
| 4.2.2 低温下单层硫化钼的光致发光性质 | 第51-53页 |
| 4.3 室温下不同层数硫化钼的拉曼光谱研究 | 第53-54页 |
| 4.4 低温下单层硫化钼的拉曼光谱研究 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 基于单层硫化钼的场效应晶体管的研究 | 第58-66页 |
| 5.1 单层硫化钼场效应晶体管的制备 | 第58-61页 |
| 5.1.1 单层硫化钼的转移过程 | 第58-60页 |
| 5.1.2 背栅单层硫化钼场效应晶体管的制备 | 第60-61页 |
| 5.2 硫化钼的场效应晶体管器件性能表征 | 第61-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第74-75页 |
