| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-27页 |
| 2.1 ZnO的基本性质 | 第17-19页 |
| 2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 ZnO的本征缺陷 | 第18-19页 |
| 2.2 非晶氧化物半导体 | 第19-22页 |
| 2.2.1 非晶氧化物半导体材料微观结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 非晶氧化物半导体导电机理 | 第20-22页 |
| 2.3 薄膜晶体管(TFT) | 第22-27页 |
| 2.3.1 TFT器件结构及工作原理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 TFT器件的性能表征 | 第23-24页 |
| 2.3.3 ZnO基TFT研究现状 | 第24-27页 |
| 第三章 实验原理及实验过程 | 第27-39页 |
| 3.1 磁控溅射沉积技术 | 第27-36页 |
| 3.1.1 磁控溅射沉积的原理 | 第27-31页 |
| 3.1.2 磁控溅射沉积设备简介 | 第31-32页 |
| 3.1.3 磁控溅射沉积制备薄膜的关键因素 | 第32-33页 |
| 3.1.4 磁控溅射制备NbZnSnO薄膜的实验过程 | 第33-36页 |
| 3.2 表征方法 | 第36-39页 |
| 3.2.1 霍尔效应测量仪(Hall Effect Measurement) | 第37页 |
| 3.2.2 X射线衍射(XRD) | 第37页 |
| 3.2.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第37页 |
| 3.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第37页 |
| 3.2.5 椭圆偏振光谱仪 | 第37页 |
| 3.2.6 扫描探针显微镜(SPM) | 第37页 |
| 3.2.7 紫外-可见光(UV-Vis)光谱 | 第37页 |
| 3.2.8 高分辨透射电镜(HR-TEM) | 第37页 |
| 3.2.9 电学性能测试工作站(I-V) | 第37-39页 |
| 第四章 NbZnSnO非晶态薄膜制备与性能研究 | 第39-59页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 NbZnSnO非晶态薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 4.3 不同溅射压强对α-NbZnSnO薄膜性能的影响 | 第40-44页 |
| 4.3.1 溅射压强对薄膜材料结构和表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.2 溅射压强对薄膜电学性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.3 溅射压强对薄膜光学性能的影响 | 第43-44页 |
| 4.4 不同溅射功率对α-NbZnSnO薄膜性能的影响 | 第44-46页 |
| 4.4.1 溅射功率对薄膜晶体结构影响 | 第44页 |
| 4.4.2 溅射功率对薄膜电学性能的影响 | 第44-46页 |
| 4.4.3 溅射功率对薄膜光学性能的影响 | 第46页 |
| 4.5 退火处理对α-NbZnSnO薄膜性能的影响 | 第46-48页 |
| 4.6 不同Nb含量对α-NbZnSnO薄膜性能的影响 | 第48-57页 |
| 4.6.1 XRD分析 | 第48-49页 |
| 4.6.2 Hall分析 | 第49-50页 |
| 4.6.3 UV-Vis分析 | 第50-51页 |
| 4.6.4 XPS分析 | 第51-54页 |
| 4.6.5 HR-TEM分析 | 第54-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 NbZnSnO非晶态薄膜在TFT器件中应用研究 | 第59-71页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 TFT元器件的制备 | 第59-63页 |
| 5.2.1 电子束蒸发简介 | 第60-61页 |
| 5.2.2 电子束蒸发的操作规范 | 第61-62页 |
| 5.2.3 TFT器件制备 | 第62-63页 |
| 5.3 退火对TFT器件性能的影响 | 第63-64页 |
| 5.4 不同氧分压对TFT器件性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.5 不同沟道长宽比对TFT器件性能的影响 | 第65-67页 |
| 5.6 不同Nb含量对TFT器件性能的影响 | 第67-69页 |
| 5.7 本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71-72页 |
| 6.2 论文创新点 | 第72页 |
| 6.3 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简历 | 第83-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第85页 |
