| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 NBTI效应的研究背景和对器件的影响 | 第10-11页 |
| 1.2 带偏置NBTI效应研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要工作与结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 器件模型和模拟方法 | 第14-25页 |
| 2.1 MOS器件的结构 | 第14页 |
| 2.2 PMOS器件工作原理 | 第14-16页 |
| 2.3 基本参数变化对PMOS器件的影响 | 第16-18页 |
| 2.3.1 栅氧厚度对NBTI效应的影响 | 第16-17页 |
| 2.3.2 栅长对NBTI效应的影响 | 第17页 |
| 2.3.3 栅宽对NBTI效应的影响 | 第17-18页 |
| 2.4 适合本文的PMOS器件模型建立 | 第18-20页 |
| 2.5 数值模拟软件GENIUS-OPEN简介 | 第20-22页 |
| 2.5.1 数值模拟的必要性 | 第20页 |
| 2.5.2 GENIUS-OPEN简介 | 第20页 |
| 2.5.3 边界条件的处理 | 第20-21页 |
| 2.5.4 器件IV曲线自动扫描 | 第21页 |
| 2.5.5 网格化 | 第21-22页 |
| 2.6 提取阈值电压方法的选择 | 第22-24页 |
| 2.6.1 对器件研究参数的选择 | 第22-23页 |
| 2.6.2 提取阈值电压的常见方法 | 第23-24页 |
| 2.7 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 不同位置的界面电荷对PMOS器件阈值电压的影响 | 第25-35页 |
| 3.1 界面电荷产生的模型 | 第26页 |
| 3.2 均匀界面电荷对于阈值电压的影响 | 第26-27页 |
| 3.3 短沟道对于阈值电压的影响 | 第27-29页 |
| 3.3.1 电荷共享模型 | 第28页 |
| 3.3.2 仿真模拟验证 | 第28-29页 |
| 3.4 漏极偏压对于短沟道器件阈值电压的影响 | 第29-30页 |
| 3.5 界面电荷位置对于阈值电压的影响 | 第30-32页 |
| 3.6 界面电荷对于器件表面势的影响 | 第32-33页 |
| 3.7 小结 | 第33-35页 |
| 第四章 连续界面电荷对PMOS阈值电压的影响 | 第35-42页 |
| 4.1 连续分布的界面电荷对器件表面势的影响 | 第35-36页 |
| 4.2 不同长度的连续界面电荷对PMOS阈值电压的影响 | 第36-37页 |
| 4.3 不同浓度的连续界面电荷对PMOS阈值电压的影响 | 第37-38页 |
| 4.4 界面电荷对器件影响机制的探究 | 第38-40页 |
| 4.5 不同浓度的连续界面电荷对器件表面势的影响 | 第40-41页 |
| 4.6 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 薄膜晶体管NBTI退化效应的研究 | 第42-55页 |
| 5.1 多晶硅薄膜晶体管（P-SI TFT）简介 | 第42-44页 |
| 5.2 MEDICI简介及陷阱模型建立 | 第44-45页 |
| 5.2.1 MEDICI功能简介 | 第44页 |
| 5.2.2 TFT陷阱模型的建立 | 第44-45页 |
| 5.3 TFT的特性转移曲线 | 第45-47页 |
| 5.4 不同位置的界面电荷对TFT的影响 | 第47-48页 |
| 5.5 不同浓度的连续界面电荷对TFT阈值电压的影响 | 第48-50页 |
| 5.6 不同时间应力下，TFT的DB-NBTI退化特性 | 第50-54页 |
| 5.6.1 界面电荷浓度引入区域的选择 | 第50-51页 |
| 5.6.2 数值模拟的联合计算流程 | 第51页 |
| 5.6.3 不同时间应力对TFT阈值电压的影响 | 第51-54页 |
| 5.7 小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第62页 |
