| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 有机电子学的发展 | 第9-11页 |
| 1.2 有机半导体材料 | 第11-14页 |
| 1.2.1 有机半导体材料简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机半导体材料的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 溶液相沉积有机半导体材料晶体机理 | 第13-14页 |
| 1.3 有机半导体器件介绍 | 第14-22页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管介绍 | 第14-17页 |
| 1.3.2 有机存储器简介 | 第17-18页 |
| 1.3.3 有机太阳能电池介绍 | 第18-19页 |
| 1.3.4 有机发光二极管介绍 | 第19-22页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 笔写制备溶液相有机场效应晶体管 | 第27-38页 |
| 2.1 前言 | 第27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-28页 |
| 2.2.1 有机晶体生长 | 第27-28页 |
| 2.2.2 场效应晶体管制备方法 | 第28页 |
| 2.2.3 场效应晶体管基本电学测试 | 第28页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第28-34页 |
| 2.3.1 笔写装置沉积的晶体结构 | 第28-32页 |
| 2.3.2 电学性能分析 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 氟化锂(LiF)厚度对于交叉点存储器性能的影响 | 第38-48页 |
| 3.1 前言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-40页 |
| 3.2.1 交叉点存储器制备 | 第39-40页 |
| 3.2.2 不同厚度的LiF层的器件电学转换性能测试 | 第40页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第40-44页 |
| 3.3.1 LiF厚度对器件电学转换性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.2 工作机制分析 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 4.1 总结 | 第48-49页 |
| 4.2 展望 | 第49-50页 |
| 附录 攻读硕士学位期间的学术成果和参与项目等 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |