| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 功率STI-LDMOS器件概述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 STI工艺的优势 | 第10-11页 |
| 1.1.2 功率STI-LDMOS器件简介 | 第11-12页 |
| 1.2 功率STI-LDMOS器件的热载流子可靠性问题研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 热载流子效应理论概述 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 热载流子可靠性的研究方法 | 第15-18页 |
| 1.3.1 退化测试 | 第15页 |
| 1.3.2 损伤测试 | 第15-18页 |
| 1.3.3 TCAD仿真 | 第18页 |
| 1.4 本文的主要工作及组织结构 | 第18-21页 |
| 第二章 功率STI-LDMOS器件热载流子退化研究 | 第21-33页 |
| 2.1 功率STI-LDMOS器件基本结构与特性 | 第21-22页 |
| 2.2 功率STI-LDMOS器件热载流子退化测试条件研究 | 第22-24页 |
| 2.3 功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理研究 | 第24-27页 |
| 2.4 环境温度对功率STI-LDMOS器件热载流子可靠性的影响研究 | 第27-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 功率STI-LDMOS器件热载流子退化寿命模型研究 | 第33-47页 |
| 3.1 功率STI-LDMOS器件热载流子退化寿命考核方法研究 | 第33-39页 |
| 3.1.1 最坏应力条件的确定 | 第33-35页 |
| 3.1.2 高侧器件的特殊监测方法 | 第35-39页 |
| 3.2 功率STI-LDMOS器件热载流子退化寿命模型建模方案 | 第39-41页 |
| 3.3 功率STI-LDMOS器件热载流子退化寿命模型参数提取 | 第41-44页 |
| 3.4 功率STI-LDMOS器件热载流子退化寿命模型验证 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 高热载流子可靠性功率STI-LDMOS器件优化设计 | 第47-63页 |
| 4.1 功率STI-LDMOS器件沟道区优化研究 | 第47-49页 |
| 4.2 功率STI-LDMOS器件场板优化研究 | 第49-50页 |
| 4.3 功率STI-LDMOS器件STI形状优化研究 | 第50-57页 |
| 4.3.1 STI侧壁倾斜角 | 第51-53页 |
| 4.3.2 STI拐角曲率 | 第53-55页 |
| 4.3.3 STI侧壁倾斜角和拐角曲率综合影响 | 第55-57页 |
| 4.4 高热载流子可靠性功率STI-LDMOS器件设计 | 第57-62页 |
| 4.4.1 槽栅结构 | 第57-59页 |
| 4.4.2 P型埋层结构 | 第59-60页 |
| 4.4.3 分离栅结构 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间成果 | 第71页 |
